IGBT
■回路図 CIRCUIT
3：C
50 A 1200 V
PHMB50B12CL
（単½ Dimension：mm）
■外½寸法図 OUTLINE DRAWING
1：G
2：E
質量：約35g
■最大定格 Maximum Ratings（T
C
＝25℃）
項 目
Item
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-Emitter Voltage
ゲート・エミッタ間電圧
Gate-Emitter Voltage
コレクタ電流
Collector Current
DC
1ms
記号
Symbol
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
V
iso
定 格 値
Rated Value
1200
±20
0050
0100
0250
−40∼＋150
−40∼＋125
2500
単½
Unit
V
V
A
W
℃
℃
V
（RMS）
N m
・
（kgf cm）
・
コレクタ損失
Collector Power Dissipation
接合温度
Junction Temperature Range
保存温度
Storage Temperature Range
絶縁耐圧
（端子−ベース間，AC１分間）
Isolation Voltage Terminal to Base, AC１min.）
（
締付トルク
Mounting Torque
ベース取付部
Module Base to Heatsink
端子部
Busbar to Terminal
F
tor
1.4（14.3）
■電気的特性 Electrical Characteristics（T
C
＝25℃）
項 目
Characteristic
コレクタ遮断電流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲート漏れ電流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲートしきい値電圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入力容量
Input Capacitance
上昇時間
Rise Time
ターン・オン時間
スイッチング時間 Turn-On Time
Switching Time
下降時間
Fall Time
ターン・オフ時間
Turn-Off Time
記号
Symbol
I
CES
I
GES
（
V
CE sat）
（
V
GE th）
条 件
Test Conditions
V
CE
＝1200V, V
GE
＝0V
V
GE
＝±20V, V
CE
＝0V
I
C
＝50A, V
GE
＝15V
V
CE
＝5V, I
C
＝50mA
V
CE
＝10V, V
GE
＝0V, f＝1MHz
最小
Min.
─
─
─
4.0
─
─
標準
Typ.
─
─
1.9
─
4200
0.25
0.40
0.25
0.80
最大
Max.
1.00
1.00
2.40
8.00
─
0.45
0.70
単½
Unit
mA
μ
A
V
V
pF
Ｉ
Ｇ
Ｂ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
C
ies
t
r
t
on
t
f
t
off
V
CC
＝600V
R
L
＝12Ω
R
G
＝20Ω
V
GE
＝±15V
─
─
─
μ
s
0.35
1.10
─ 386 ─
■熱的特性 Thermal Characteristics
項 目
Characteristic
熱抵抗
Thermal Impedance
IGBT
記号
Symbol
（j-c）
R
th
条 件
Test Conditions
接合部−ケース間
Junction to Case
最小
Min.
─
標準
Typ.
─
最大
Max.
0.43
単½
Unit
℃/W
■定格・特性曲線
Fig. 1 Output Characteristics（Typical）
100
Fig. 2 Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical）
T
C
=25
16
T
C
=25
I
C
=25A
100A
V
GE
=20V
15V
12V
10V
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
50A
Collector Current I
C
(A)
75
9V
50
8V
25
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig. 3 Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage（Typical）
16
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig. 4 Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage（Typical）
800
700
600
500
400
16
T
C
=125
I
C
=25A
100A
R
L
=12
T
C
=25
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
14
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
50A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
4
200V
100
0
0
50
100
150
200
250
300
350
2
0
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig. 5 Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage（Typical）
20000
10000
5000
Total Gate Charge Qg
(nC)
Fig. 6 Collector Current vs. Switching Time（Typical）
1.4
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25
Cies
1.2
V
CC
=600V
R
G
=20
V
GE
= 15V
T
C
=25
t
OFF
2000
1000
500
200
Switching Time t
( s)
Capacitance C
(pF)
1
Coes
0.8
0.6
t
f
Cres
100
50
20
0.4
0.2
t
ON
t
r
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
10
20
30
40
50
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
─ 387 ─
Fig. 7 Series Gate Impedance vs. Switching Time（Typical）
10
5
Fig. 8 Reverse Bias Safe Operating Area（Typical）
500
V
CC
=600V
I
C
=50A
V
GE
= 15V
T
C
=25
200
R
G
=20
V
GE
= 15V
T
C
125
toff
ton
100
2
1
0.5
Collector Current I
C
(A)
Switching Time t
( s)
50
20
10
5
2
1
0.5
tr
tf
0.2
0.1
0.2
0.05
5
10
20
50
100
200
300
0.1
0
400
800
1200
1600
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig. 9 Transient Thermal Impedance
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
/W)
(
2
1
(J-C)
IGBT
5x10
-1
Transient Thermal Impedance Rth
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
T
C
=25
5x10
-3
2x10
-3
10
-5
1 Shot Pulse
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
1
Time t
(s)
Ｉ
Ｇ
Ｂ
Ｔ
モ
ジ
ュ
ー
ル
─ 388 ─
Electronics Design Contest
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