QS043-402-（2/5）
ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－Ｓ½½½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２
６００ Ａ，１２００Ｖ
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ
108
93
9
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
110
4 - Ø6.5
93
± 0 .2 5
2 -M8
4 - Ø6.5
4
2 -M6
1
20
(E)
4
(G)
3
4
3
3
2 -M4
13
21
29
2 -M4
24
11
20
29
- 0.5
36
+1.0
+1.0
25.5
- 0.5
23
7
PH MB600BS12
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting
Ｔorque
Ｂusbar to Ｔerminals
ＤＣ
１½½
PH MB600BS12C
Dimension:［mm½
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
PHMB600BS12
Ｍ４
Ｍ８
Ｉ½½½
Ｒ½½½½
Ｖ½½½½
7
23
LABEL
25.5
LABEL
13
14
16
１，２００
±２０
６００
１，２００
３，６００
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
１ ４（１４ ３）
PHMB600BS12C
１０ ５(１０７)
62
(E)
2
(C)
1
2
20
20
62
± 0 .2 5
80
2
48
1
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
３ ３ .６
（ ０ ）
Ｍ４ １ ４（１４ ３）
(kgf½cm)
Ｍ６ ３(３０ ６)
３ ３ .６
（ ０ ）
Ｎ・½
□ 電 気 的 特 性
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 1200V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 600A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 600mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
= 600V
Ｒ
L
= 1.0Ω
Ｒ
G
= 2.7Ω
Ｖ
ＧＥ
= ±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
２.３
－
37,800
０.２５
０.４０
０.２５
０.８０
Ｍ½½.
６.０
１.０
２.７
８.０
－
０.４５
０.７０
０.３５
１.１０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
６００
１,２００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 600A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 600A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 1200A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
２.２
０.２
Ｍ½½.
２.６
０.３
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓ½½½½½
Ｒth(j-c)
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Junction to Case
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
Ｍ½½. Ｕ½½½
－
０.０３５
℃／Ｗ
０.０７１
－
00
日本インター株式会社
QS043-402-（3/5）
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ
Fig.1-
Output Characteristics (Typical)
1200
Fig.2-
Output Characteristics (Typical)
T
C
=25°C
1200
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
11V
V
GE
=20V
1000
12V
11V
1000
15V
15V
Collector Current I
C
(A)
800
10V
Collector Current I
C
(A)
800
10V
600
600
9V
400
9V
400
8V
7V
8V
200
200
7V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
16
Fig.4-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=300A
600A
1200A
I
C
=300A
1200A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
600A
12
10
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.5-
Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
800
700
Fig.6-
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
16
14
300000
100000
R
L
=1.0
T
C
=25°C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
Cies
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
600
500
400
300
200
100
0
0
12
10
8
6
4
2
0
5000
Capacitance C (pF)
30000
10000
V
CE
=600V
400V
200V
Coes
3000
1000
Cres
300
100
1000
2000
3000
4000
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
00
日本インター株式会社
QS043-402-（4/5）
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ
Fig.7-
Collector Current vs. Switching Time (Typical)
2
Fig.8-
Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
5
3
1.6
V
CC
=600V
R
G
=2.7
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
V
CC
=600V
I
C
=600A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
toff
ton
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
t
OFF
1.2
1
0.3
0.8
t
f
t
ON
t
r(V
CE
)
0
100
200
300
400
500
600
tf
tr
(V
CE
)
0.4
0.1
0
0.03
1
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.9-
Collector Current vs. Switching Time
10
10
Fig.10-
Series Gate Impedance vs. Switching Time
V
CC
=600V
I
C
=600A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
toff
ton
3
Switching Time t (µs)
1
Switching Time t (µs)
t
OFF
t
f
0.3
V
CC
=600V
R
G
=2.7
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
5
2
1
0.5
t
ON
0.1
t
r(Ic)
0.2
0.1
tf
tr
(I
C
)
0.03
0.05
0.01
0
200
400
600
800
0.02
1
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.11-
Collector Current vs. Switching Loss
250
1000
Fig.12-
Series Gate Impedance vs. Switching Loss
V
CC
=600V
I
C
=600A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
200
V
CC
=600V
R
G
=2.7
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
300
E
ON
E
OFF
150
E
ON
100
100
E
OFF
E
RR
E
RR
30
50
0
0
200
400
600
800
1000
10
1
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
00
日本インター株式会社
QS043-402-（5/5）
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２
ＰＨＭＢ６００ＢＳ１２Ｃ
1200
Fig.13-
Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
Fig.14-
Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
1000
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
I
F
=600A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
trr
Forward Current I
F
(A)
800
300
600
I
RrM
100
400
200
0
0
1
2
3
4
30
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
Forward Voltage V
F
(V)
-di/dt (A/µs)
Fig.15-
Reverse Bias Safe Operating Area
2000
1000
300
R
G
=2.7 , V
GE
=±15V, T
C
=125°C
Collector Current I
C
(A)
100
30
10
3
1
0.3
0.1
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
3x10
-1
Fig.16-
Transient Thermal Impedance
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(°C/W)
1x10
-1
FRD
IGBT
3x10
-2
1x10
-2
3x10
-3
1x10
-3
T
C
=25°C
1 Shot Pulse
3x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t (s)
00
日本インター株式会社
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
