ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－Ｃ½½½½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
２００Ａ，
６００Ｖ
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
94.0
80
±0.25
ＰＲＨＭＢ２００Ｅ６
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
48.0
16.0
14.0
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7(G2)
6(E2)
2-Ø6.5
1
2
3
7
6
3-M5
23.0
23.0
17.0
14
9
14
9
14
30
- 0 .5
LABEL
7
21.2 7.5
+1.0
4
4-fasten tab
#110 t=0.5
Dimension:［mm½
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
コレクタ・エミッタ間電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage
コ レ ク タ 電 流
Ｃollector Ｃurrent
コ レ ク タ 損 失
Ｃollector Ｐower Ｄissipation
接
合
温
度
Ｊunction Ｔemperature Ｒange
保
存
温
度
Ｓtorage Ｔemperature Ｒange
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
Ｉsolation Ｖoltage
Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink
締 め 付 け ト ル ク
Ｍounting Ｔorque
Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal
□ 電 気 的 特 性
ＤＣ
１½½
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
６００
±２０
２００
４００
７８０
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
３ ３ .６
（ ０ ）
２ ２ .４
（ ０ ）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ・½
(kgf½cm)
Ｉ½½½
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
Ｒise
Ｔurn-on
Ｆall
Ｔurn-off
Ｔime
Ｔime
Ｔime
Ｔime
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 600V, Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 200mA
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
=
Ｒ
Ｌ
=
Ｒ
Ｇ
=
Ｖ
ＧＥ
=
300V
1.5Ω
3.6Ω
±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
２.１
－
10,000
０.１５
０.２５
０.１０
０.３５
Ｍ½½.
１.０
１.０
２.６
８.０
－
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage
入
力
容
量
Ｉnput Ｃapacitance
スイッチング時間
Ｓwitching Ｔime
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
Ｆorward Ｃurrent
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Ｐeak Ｆorward Ｖoltage
逆 回 復 時 間
Ｒeverse Ｒecovery Ｔime
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
２００
４００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 200A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 400A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
１.９
０.１５
Ｍ½½.
２.４
０.２５
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
Ｔhermal Ｉmpedance
Ｄiode
Ｓ½½½½½
Ｒth(j-c)
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Junction to Case
（Tc測定点チップ直下）
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½.
０.１６
０.３８
Ｕ½½½
℃／Ｗ
00
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ２００Ｅ６
Fig.1-
Output Characteristics (Typical)
400
Fig.2-
Output Characteristics (Typical)
T
C
=25°C
400
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
V
GE
=20V
350
300
250
200
150
100
50
0
12V
11V
15V
350
300
250
200
150
100
15V
11V
Collector Current I
C
(A)
Collector Current I
C
(A)
10V
10V
9V
9V
8V
8V
50
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.3-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Fig.4-
Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage (Typical)
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=100A
200A
400A
I
C
=100A
200A
400A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.5-
Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
400
350
Fig.6-
Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical)
16
14
30000
100000
R
L
=1.5
T
C
=25°C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
Cies
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
300
250
200
150
100
50
0
12
10
Capacitance C (pF)
10000
V
CE
=300V
200V
100V
8
6
4
2
0
800
3000
Coes
Cres
1000
300
0
200
400
600
100
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
Total Gate Charge Qg (nC)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
00
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ２００Ｅ６
Fig.7-
Collector Current vs. Switching Time (Typical)
1
Fig.8-
Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical)
10
5
0.8
t
OFF
V
CC
=300V
R
G
=3.6
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
2
V
CC
=300V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
Resistive Load
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
0.6
1
0.5
t
f
0.4
toff
ton
tr
(V
CE
)
tf
0.2
0.1
0.05
0.2
t
ON
t
r(V
CE
)
0
0
50
100
150
200
250
300
0.02
1
3
10
30
100
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.9-
Collector Current vs. Switching Time
10
Fig.10-
Series Gate Impedance vs. Switching Time
10
5
1
Switching Time t (µs)
Switching Time t (µs)
t
OFF
t
ON
V
CC
=300V
R
G
=3.6
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
2
1
0.5
V
CC
=300V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
0.1
t
f
t
r(Ic)
toff
ton
tf
0.2
0.1
0.05
0.01
tr
(I
C
)
0.001
0
50
100
150
200
250
300
0.02
1
3
10
30
100
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
Fig.11-
Collector Current vs. Switching Loss
20
Fig.12-
Series Gate Impedance vs. Switching Loss
300
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
E
OFF
12
Switching Loss E
SW
(mJ/Pulse)
16
V
CC
=300V
R
G
=3.6
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
100
V
CC
=300V
I
C
=200A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
Inductive Load
E
ON
30
E
OFF
E
ON
8
10
E
RR
4
E
RR
3
0
0
50
100
150
200
250
300
1
1
3
10
30
Collector Current I
C
(A)
Series Gate Impedance R
G
( )
00
日本インター株式会社
ＰＲＨＭＢ２００Ｅ６
400
350
300
250
200
150
100
50
0
Fig.13-
Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Fig.14-
Reverse Recovery Characteristics (Typical)
1000
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr (ns)
500
I
F
=200A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
trr
Forward Current I
F
(A)
200
100
50
I
RrM
20
0
1
2
3
4
10
0
200
400
600
800
1000
1200
Forward Voltage V
F
(V)
-di/dt (A/µs)
Fig.15-
Reverse Bias Safe Operating Area
1000
500
200
R
G
=3.6 , V
GE
=±15V, T
C
<125°C
Collector Current I
C
(A)
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Fig.16-
Transient Thermal Impedance
3
Transient Thermal Impedance Rth
(J-C)
(°C/W)
1
FRD
3x10
-1
IGBT
1x10
-1
3x10
-2
1x10
-2
3x10
-3
1x10
-3
3x10
-4
10
-5
T
C
=25°C
1 Shot Pulse
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
Time t (s)
00
日本インター株式会社
Microchip MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
