IGBT
M½½½½½
−S½½−P½½½
□
回 路 図 :
CIRCUIT
50A,600V
□
外 ½ 寸 法 図 :
OUTLINE DRAWING
PTMB50A6C
Dimension:[mm½
□
最 大 定 格 :
MAXIMUM
I½½½
コ レ ク タ・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Collector-Emitter Voltage
ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧
Gate-Emitter Voltage
コ レ ク タ 電 流
Collector Current
RATINGS
(T
C
=25℃)
S½½½½½
V
CES
V
GES
DC
1½½
I
C
I
CP
P
C
T
½
T
½½½
V
ISO
F
½½½
重量:190½
R½½½½
V½½½½
U½½½
V
V
A
W
℃
℃
V
(RMS)
N・½
(kgf½cm)
600
±20
50
100
190
−40∼+150
−40∼+125
2500
2(20.4)
コ レ ク タ 損 失
Collector Power Dissipation
接
合
温
度
Junction Temperature Range
保
存
温
度
Storage Temperature Range
絶
縁
耐
圧
(Terminal to Base AC,1 ½inute)
Isolation Voltage
締 め 付 け ト ル ク
Module Base to Heatsink
Mounting Torque
□ 電 気 的 特 性 :
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
=25℃)
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Collector-Emitter Cut-Off Current
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Gate-Emitter Leakage Current
コレクタ・エミッタ間½和電圧
Collector-Emitter Saturation Voltage
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
Gate-Emitter Threshold Voltage
入
力
容
量
Input Capacitance
上 昇 時 間 Rise
Time
スイッチング時間
ターンオン時間 Turn-on Time
Switching Time
下 降 時 間 Fall
Time
ターンオフ時間 Turn-off Time
S½½½½½
I
CES
I
GES
V
CE(½½½)
V
GE(½½)
C
½½½
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T½½½
C½½½½½½½½
V
CE
= 600V,V
GE
= 0V
V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
I
C
= 50A,V
GE
= 15V
V
CE
= 5V,I
C
= 50mA
V
CE
= 10V,V
GE
= 0V,
½=1MH
Z
V
CC
= 300V
R
L
= 6Ω
R
G
= 15Ω
V
GE
= ±15V
M½½.
−
−
−
4.0
−
−
−
−
−
T½½.
−
−
2.0
−
5000
0.15
0.25
0.2
0.45
M½½.
1.0
1.0
2.5
8.0
−
0.3
0.4
0.35
0.7
U½½½
½A
μA
V
V
½F
μ½
□ フリーホイーリングダイオードの特 性:
FREE WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
C
=25℃)
I½½½
順
電
流
Forward Current
DC
1½½
S½½½½½
I
F
I
FM
R½½½½
V½½½½
U½½½
A
50
100
C½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
Peak Forward Voltage
逆 回 復 時 間
Reverse Recovery Time
□
S½½½½½
V
F
½
½½
T½½½
C½½½½½½½½
I
F
= 50A,V
GE
= 0V
I
F
= 50A,V
GE
= -10V
½i/½t= 50A/μs
M½½.
−
−
T½½.
1.9
0.15
M½½.
2.4
0.25
U½½½
V
μ½
熱 的 特 性 :
THERMAL CHARACTERISTICS
C½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
Thermal Impedance
IGBT
Diode
S½½½½½
Rth(j-c)
T½½½
C½½½½½½½½
Junction to Case
M½½.
−
−
T½½.
−
−
M½½.
0.65
1.48
U½½½
℃/W
PTMB50A6C
Fig.2- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
16
Fig.1- Output Characteristics
(Typical)
100
T
C
=25℃
V
GE
=20V
12V
15V
T
C
=25℃
I
C
=20A
100A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
80
10V
50A
12
10
8
6
4
2
0
Collector Current I
C
(A)
60
9V
40
20
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Fig.3- Collector to Emitter On Voltage
vs. Gate to Emitter Voltage
(Typical)
16
Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
400
350
16
T
C
=125℃
I
C
=20A
100A
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
14
R
L
=5Ω
T
C
=25℃
14
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
50A
12
10
8
6
4
2
0
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
300
250
200
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
100V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
Gate to Emitter Voltage V
GE
(V)
Total Gate Charge Qg
(nC)
Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage
(Typical)
20000
10000
5000
Fig.6- Collector Current vs. Switching Time
(Typical)
1
0.9
0.8
Cies
Coes
Cres
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
Switching Time t
(μs)
Capacitance C
(pF)
2000
1000
500
200
100
50
20
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
toff
ton
tf
tr
0
20
40
60
80
100
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector Current I
C
(A)
PTMB50A6C
Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time
(Typical)
5
100
Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode
(Typical)
T
C
=25℃
90
80
2
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=125℃
Switching Time t
(μs)
Forward Current I
F
(A)
toff
ton
tr
70
60
50
40
30
20
1
0.5
tf
0.2
0.1
10
0
0.05
2
5
10
20
50
100
200
500
0
1
2
3
4
Series Gate Impedance R
G
(Ω)
Forward Voltage V
F
(V)
Fig.9- Reverse Recovery Characteristics
(Typical)
500
Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area
(Typical)
500
200
100
Peak Reverse Recovery Current I
RrM
(A)
Reverse Recovery Time trr
(ns)
I
F
=50A
T
C
=25℃
trr
200
100
50
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
Collector Current I
C
(A)
I
RrM
0
100
200
300
400
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
20
10
5
2
0.05
0
200
400
600
800
-di/dt
(A/μs)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)