D 448 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Höchstzulässige Werte
Periodische Spitzensperrspannung
Maximum rated values
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40°C... t
vj max
V
RRM
200, 400
600, 800*
V
V
V
A
A
1
)
A
kA
kA
kA
2
s
kA
2
s
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25°C... t
vj max
RMS forward current
mean forward current
t
c
= 122 °C
t
c
= 130 °C
V
RSM
= V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
+ 50
710
450
405
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
I
2
t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
I
FSM
I
2
t
6,3
5,1
198,5
130
Grenzlastintegral
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Sperrstrom
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
reverse current
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 1,35 kA
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
V
T
V
T(TO)
r
T
i
R
max.
max.
1,44
0,7
0,51
20
V
V
mΩ
mA
Thermische Eigenschaften
Innerer Widerstand
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
beidseitig/two-sided,
Θ
=180° sin
beidseitig/two sided, DC
Anode/anode,
Θ
=180° sin
Anode/anode, DC
Kathode/cathode,
Θ
=180° sin
Kathode/cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
R
thCK
max.
max.
t
vj max
t
c op
t
stg
0,102 °C/W
0,097 °C/W
0,155 °C/W
0,150 °C/W
0,280 °C/W
0,275 °C/W
0,015 °C/W
0,030 °C/W
180
-40...+150
-40...+150
°C
°C
°C
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
einseitig /single-sided
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anpreßkraft
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Maßbild
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
clamping force
weight
creepage distance
humidity classification
vibration resistance
outline
DIN 40040
f = 50 Hz
50
Seite/page
∅
= 17 mm
Gehäuseform/case design T
F
G
typ.
2,6...4,6
75
25
kN
g
mm
C
m/s
2
* Bitte Liefertermin erfragen / Delivery on request
D 448 N
1,0
2
i
F
[kA]
⌠
i²dt
⌡
(normiert)
0,8
1,5
0,6
1,0
0,4
0,5
0,2
0
0
D448N_1
0,5
1,0
1,5
v
F
[V]
2,0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
t
p
[ms]
8
9
10
D448N_4
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlaßkennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
t
vj
= 180 °C
t
vj
= 25 °C
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized i²t
∫i²dt
= f(t
p
)
7
I
F(0V)M
I
F(0V)M
v
R
6
I
F(0V)M
[kA]
v
R
6
I
F(0V)M
[kA]
5
1a + 1b
+ 1c
2a
2b
2c
4
4
1a +1b
1c
2a
2b
2c
3
2
2
1
0
0
D448N_5
0,1
0,2
t [s]
0,3
0
D448N_6
0,1
0,2
t [s]
0,3
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 450 A; t
C
= 122 °C; t
vj
= 180 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A; t
vj
= t
C
= 25 °C
2 - I
FAV(vor)
= 450 A; t
C
= 122 °C; t
vj
= 180 °C
a - v
R
≤
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 448 N
10
3
9
8
800
400
200
100
50
25
3
Θ
i
FM
[A]
0,10
Θ
7
T
6
∆
R
thJC
[°C/W]
0,08
Qr
[
µ
As]
5
4
0,06
T
2
0,04
10
2
9
0,02
Θ
8
7
6
T
0
30
D448N_3
60
90
120
150
Θ
[°el]
180
5
0,1
D448N_7
1
10
-di
F
/dt
[A/µs]
100
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den Wärmewiderständen
für Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
≤
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 0,68 µF; R = 5,6
Ω
Parameter: Durchlaßstrom / Forward current i
FM
0,30
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
3
0,25
Kühlg.
Cooling
Pos.
n
τ
n
[s]
τ
n
[s]
τ
n
[s]
1
2
3
4
0,034
0,0409
5
0,0501
0,2
0,0405
0,182
6
7
Z
(th)JC
[°C/W]
0,20
1
2
2
3
R
thn
°C/W
0,00132 0,00668 0,0049
0,000065 0,000841 0,0113
R
thn
°C/W
0,00111 0,00652 0,01257 0,0303
0,000056 0,00075 0,015
0,0611
0,0257
1,61
0,175
3,11
0,0333
4,15
R
thn
°C/W
0,00119 0,00651 0,00873 0,04197 0,0416
0,000059 0,000773 0,0129
0,0552
0,524
0,15
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
0,10
1
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
0,05
Analytische Funktion / Analytical function
n
max
Z
thJC
=
Σ
R
thn
(1-EXP(-t/
τ
n
))
n=1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
0
10
-3
D448N_2
Bild / Fig. 7
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
RF/Wirelessly
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