DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Dioden Sätze mit Allzweckdioden
Nominal power dissipation
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
7 Pin-Plastic case
7 Pin-Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Dimensions / Maße in mm
200 mW
80 V
18 x 3.5 x 6.6 [mm]
0.6 g
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Type
Typ
DAN 601
DAP 601
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
80
80
T
A
= 25
L
C
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
80
80
Max. average forward rectified current, R-load,
for one diode operation only
per diode for simultaneous operation
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
für eine einzelne Diode
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
1
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FSM
100 mA
1
)
33 mA
1
)
100 mA
1
)
33 mA
1
)
500 mA
T
U
= 25
L
C
T
A
= 25
L
C
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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221101
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DAN 601 / DAP 601 (200 mW)
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
j
T
S
– 50…+150
L
C
– 50…+150
L
C
Kennwerte
T
j
= 25
L
C
T
j
= 25
L
C
I
F
= 10 mA
V
R
= 20 V
V
F
I
R
t
rr
R
thA
< 1.0 V
1
)
< 25 nA
< 4 ns
< 85 K/W
2
)
Characteristics
Forward voltage
Durchlaßspannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
I
F
= 10 mA through/über
I
R
= 10 mA to/auf I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
1
2
) Valid per diode – Gültig pro Diode
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschlußdrähte in 3 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten
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京公网安备 11010802033920号
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