D ts e t
aa h e
R c e t r lc r nc
o h se Ee to is
Ma u a t r dCo o e t
n fc u e
mp n n s
R c e tr b a d d c mp n ns ae
o h se rn e
o oet r
ma ua trd u ig ete dewaes
n fcue sn i r i/ fr
h
p rh s d f m te oiia s p l r
uc a e r
o h r n l u pi s
g
e
o R c e tr waes rce td f m
r o h se
fr e rae r
o
te oiia I. Al rce t n ae
h
r nl P
g
l e rai s r
o
d n wi tea p o a o teOC
o e t h p rv l f h
h
M.
P r aetse u igoiia fcoy
at r e td sn r n la tr
s
g
ts p o rmso R c e tr e eo e
e t rga
r o h se d v lp d
ts s lt n t g aa te p o u t
e t oui s o u rne
o
rd c
me t o e c e teOC d t s e t
es r x e d h
M aa h e.
Qu l yOv riw
ai
t
e ve
• IO- 0 1
S 90
•A 92 cr ct n
S 1 0 et ai
i
o
• Qu l e Ma ua trr Ls (
ai d
n fcues it QML MI- R -
) LP F
385
53
•C a sQ Mitr
ls
lay
i
•C a sVS a eL v l
ls
p c ee
• Qu l e S p l r Ls o D sr uos( L )
ai d u pi s it f it b tr QS D
e
i
•R c e trsacic l u pir oD A a d
o h se i
r ia s p l t L n
t
e
me t aln u t a dD A sa d r s
es lid sr n L tn ad .
y
R c e tr lcrnc , L i c mmi e t
o h se Ee t is L C s o
o
tdo
t
s p ligp o u t ta s t f c so r x e t-
u pyn rd cs h t ai y u tme e p ca
s
t n fr u lya daee u loto eoiial
i s o q ai n r q a t h s r n l
o
t
g
y
s p l db id sr ma ua trr.
u pi
e yn ut
y n fcues
T eoiia ma ua trr d ts e t c o a yn ti d c me t e e t tep r r n e
h r n l n fcue’ aa h e a c mp n ig hs o u n r cs h ef ma c
g
s
o
a ds e ic t n o teR c e tr n fcue v rino ti d vc . o h se Ee t n
n p c ai s f h o h se ma ua trd eso f hs e ie R c e tr lcr -
o
o
isg aa te tep r r n eo i s mio d co p o u t t teoiia OE s e ic -
c u rne s h ef ma c ft e c n u tr rd cs o h r n l M p c a
o
s
g
t n .T pc lv le aefr eee c p r o e o l. eti mii m o ma i m rt g
i s ‘y ia’ au s r o rfrn e up s s ny C r n nmu
o
a
r xmu ai s
n
ma b b s do p o u t h rceiain d sg , i lt n o s mpetsig
y e a e n rd c c aa tr t , e in smuai , r a l e t .
z o
o
n
© 2 1 R cetr l t n s LC Al i t R sre 0 1 2 1
0 3 ohs E cr i , L . lRg s eevd 7 1 0 3
e e oc
h
T l r m r, l s v iw wrcl . m
o e n oe p ae it w . e c o
a
e
s
o ec
BUD42D
High Speed, High Gain
Bipolar NPN Transistor with
Antisaturation Network and
Transient Voltage
Suppression Capability
The BUD42D is a state−of−the−art bipolar transistor. Tight dynamic
characteristics and lot to lot minimum spread make it ideally suitable
for light ballast applications.
Features
http://onsemi.com
4 AMPERES
650 VOLTS, 25 WATTS
POWER TRANSISTOR
•
•
•
•
Free−Wheeling Diode Built−In
Flat DC Current Gain
Fast Switching Times and Tight Distribution
“6 Sigma” Process Providing Tight and Reproducible Parameter
Spreads
•
Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
•
ESD Ratings: Machine Model, C; >400 V
Human Body Model, 3B; >8000 V
•
Pb−Free Packages are Available
Two Versions
MARKING
DIAGRAMS
4
Collector
YWW
BU
D42DG
2
1
Collector 3
Base
Emmitter
4
Collector
YWW
BU
D42DG
2
1
2
3
Base Collector Emmitter
Y
WW
BUD43D
G
= Year
= Work Week
= Device Code
= Pb−Free Package
4
Publication Order Number:
BUD42D/D
4
1 2
3
DPAK
CASE 369C
STYLE 1
•
BUD42D−1: Case 369D for Insertion Mode
•
BUD42D, BUD42DT4: Case 369C for Surface Mount Mode
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Collector−Base Breakdown Voltage
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current − Continuous
− Peak (Note 1)
Base Current − Continuous
− Peak (Note 1)
Total Device Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
Operating and Storage Temperature
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
J
, T
stg
Value
350
650
650
9
4.0
8.0
1.0
2.0
25
0.2
−65 to
+150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
W
W/_C
_C
1
3
DPAK
CASE 369D
STYLE 1
TYPICAL GAIN
Typical Gain @ I
C
= 1 A, V
CE
= 2 V
Typical Gain @ I
C
= 0.3 A, V
CE
= 1 V
h
FE
h
FE
13
16
−
−
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 10 of this data sheet.
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
1
August, 2005 − Rev. 3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
Î Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.≤ 10%, Pulse Width = 40
ms)
DIODE CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes: 1/8 in from Case for 5 seconds
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Dynamic Saturation
Voltage:
Determined 1
ms
and
3
ms
respectively after
rising I
B1
reaches
90% of final I
B1
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0)
Fall Time
(I
C
= 2.5 Adc, I
B1
= I
B2
= 0.5 A, V
CC
= 150 V, V
BE
= −2 V)
Turn−Off Time
(I
C
= 1.2 Adc, I
B1
= 0.4 A, I
B2
= 0.1 A, V
CC
= 300 V)
Forward Diode Voltage
(I
EC
= 1.0 Adc)
DC Current Gain
(I
C
= 1 Adc, V
CE
= 2 Vdc)
(I
C
= 2 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.5 Adc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.2 Adc)
Emitter−Cutoff Current
(V
EB
= 9 Vdc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
= Rated V
CEO
, I
B
= 0)
Emitter−Base Breakdown Voltage
(I
EBO
= 1 mA)
Collector−Base Breakdown Voltage
(I
CBO
= 1 mA)
Collector−Emitter Sustaining Voltage
(I
C
= 100 mA, L = 25 mH)
Characteristic
I
C
= 1 A
I
B1
= 200 mA
V
CC
= 300 V
Characteristic
I
C
= 400 mA
I
B1
= 40 mA
V
CC
= 300 V
@ 3
ms
@ 1
ms
@ 3
ms
@ 1
ms
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
V
CEO(sus)
V
CE(dsat)
Symbol
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
CBO
V
EBO
R
qJC
R
qJA
I
CEO
I
EBO
I
CES
V
EC
h
FE
T
off
T
L
T
f
Min
650
350
4.6
8.0
10
9.0
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
Value
0.35
0.6
0.75
1.3
0.85
71.4
Typ
780
430
260
2.1
4.7
2.8
3.2
0.9
0.2
5.0
13
12
12
−
−
−
−
−
−
−
6.55
Max
10
200
100
100
200
0.8
1.5
1.0
1.2
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
−
°C/W
°C/W
mAdc
mAdc
mAdc
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
°C
ms
ms
V
V
−
1. Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle = 10%10
THERMAL CHARACTERISTICS
http://onsemi.com
BUD42D
2
BUD42D
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
100
100
hFE , DC CURRENT GAIN
hFE , DC CURRENT GAIN
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= −20°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
10
T
J
= −20°C
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 1. DC Current Gain @ V
CE
= 1 V
Figure 2. DC Current Gain @ V
CE
= 5 V
3
T
J
= 25°C
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
2A
2
1.5 A
1A
1
I
C
= 0.2 A
0
0.001
0.01
0.4 A
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
10
I
C
/I
B
= 5
1
T
J
= 125°C
0.1
T
J
= −20°C
T
J
= 25°C
0.1
1
I
B
, BASE CURRENT (AMPS)
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector−Emitter Saturation Voltage
100
I
C
/I
B
= 8
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
VCE , VOLTAGE (VOLTS)
10
T
J
= 125°C
1
T
J
= −20°C
10
I
C
/I
B
= 10
T
J
= −20°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
1
T
J
= 25°C
0.1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.01
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 5. Collector−Emitter Saturation Voltage
Figure 6. Collector−Emitter Saturation Voltage
http://onsemi.com
3
BUD42D
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
10
I
C
/I
B
= 5
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
10
I
C
/I
B
= 8
1
T
J
= −20°C
1
T
J
= −20°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.1
0.001
1
0.01
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.1
0.001
1
0.01
0.1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 7. Base−Emitter Saturation Region
Figure 8. Base−Emitter Saturation Region
10
FORWARD DIODE VOLTAGE (VOLTS)
I
C
/I
B
= 10
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
10
1
T
J
= −20°C
1
V
EC(V)
= −20°C
V
EC(V)
= 125°C
V
EC(V)
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
0.1
0.01
1
0.1
REVERSE EMITTER−COLLECTOR CURRENT
10
Figure 9. Base−Emitter Saturation Region
Figure 10. Forward Diode Voltage
http://onsemi.com
4
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
