R
肖特基势垒二极管
SCHOTTKY BARRIER DIODE
HBR20100A
主要参数
I
F(AV)
V
RRM
T
j
V
F(max)
MAIN
CHARACTERISTICS
20（2×10）A
100 V
175
℃
0.68V
（@Tj=125℃）
封装
Package
TO-22O
TO-22OHF
用途
高频开关电源
½压续流电路和保护电
路
APPLICATIONS
High frequency switch
power supply
Free wheeling diodes,
polarity protection
applications
产品特性
共阴结构
½功耗，高效率
良½的高温特性
有过压保护环，
高可靠性
环保（RoHS）产品
FEATURES
Common cathode structure
Low power loss, high efficiency
High Operating Junction
Temperature
Guard ring for overvoltage
protection，High reliability
RoHS product
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
HBR20100AZ
HBR20100AZR
HBR20100AHF
HBR20100AHFR
印
记
封
装
否
是
否
是
无卤素
Halogen Free
NO
YES
NO
YES
包
装
器件重量
Device Weight
1.98 g(typ)
1.98 g(typ)
1.70 g(typ)
1.70 g(typ)
Marking
HBR20100A
HBR20100A
HBR20100A
HBR20100A
Package
TO-220
TO-220
TO-220HF
TO-220HF
Packaging
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
条管
Tube
版本(Rev.)：201003E
1/6
R
HBR20100A
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
项
目
绝对最大额定值
符
号
数
值
单
½
Parameter
最大反向重复峰值电压
Repetitive peak reverse voltage
最大直流阻断电压
Maximum DC blocking voltage
正向平均整流电流
Average forward
current
T
C
=150℃
(TO-220)
T
C
=125℃
(TO-220HF)
整个器件
per device
Symbol
V
RRM
V
DC
Value
100
100
20
Unit
V
V
I
F(AV)
单
侧
per diode
10
A
正向峰值浪涌电流
Surge non repetitive forward current
（额定负½½
8.3ms
半正弦波—按
JEDEC
方法）
8.3 ms single half-sine-wave (JEDEC Method)
最高结温
Maximum junction temperature
储存温度
Storage temperature range
I
FSM
150
A
T
j
T
STG
175
-40~+150
℃
℃
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
测试条件
Tests conditions
Tj =25℃
Tj =125℃
Tj =25℃
Tj =125℃
V
R
=V
RRM
I
F
=10A
0.75
0.62
最小值
典型值
最大值
10
5
0.80
0.68
单½
Unit
μA
mA
V
V
Parameter
I
R
V
F
Value(min) Value(typ) Value(max)
热特性
THERMAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
最小值
Value(min)
最大值
Value(max)
1.9
R
th(j-c)
TO-220HF
2.5
℃
/W
单
½
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal resistance from
junction to case
TO-220
Symbol
Unit
版本(Rev.)：201003E
2/6
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
