BPY 12
BPY 12 H 1
Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12
BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
q
Short switching time (typ. 25 ns)
Applications
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
feo06697
fso06016
BPY 12
BPY 12 H 1
Typ
Type
BPY 12
BPY 12 H 1
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P9
Q62702-P1029
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
20
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
T
op
;
T
stg
V
R
P
tot
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit,
V
R
= 5 V
Spectral sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
Symbol
Symbol
Wert
Value
180 (≥ 100)
920
400 ... 1100
Einheit
Unit
nA/Ix
nm
nm
S
λ
S max
λ
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
20
4.47
×
4.47
mm
2
mm
±
60
10 (≤ 100)
Grad
deg.
nA
I
R
BPY 12
BPY 12 H 1
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A,
T
= 2856 K)
Characteristics
(
T
A
= 25
°C,
standard light A,
T
= 2856 K)
Bezeichnung
Description
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
v
= 1000 Ix
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
v
= 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient für
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient für
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
0.60
0.86
365 (≥ 310)
180
25
Einheit
Unit
A/W
Electrons
Photon
mV
µA
ns
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
140
– 2.6
0.15
9.4
×
10
–14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
4.7
×
10
12
BPY 12
BPY 12 H 1
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
P
=
f
(E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage
V
O
=
f
(E
v
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Dark current
I
R
=
f
(V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dark current
I
R
=
f
(T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
京公网安备 11010802033920号
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