Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D931SH
Key Parameters
enndaten
V
RRM
I
FAVM
I
FSM
V
T0
r
T
R
thJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
6500 V
940 A (T
C
=85 °C)
16000 A
3570A (T
C
=55°C)
1,99 V
1,44 mΩ
10 K/kW
27 … 47 kN
100 mm
62,8 mm
26 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom
Sanftes Ausschaltverhalten bei hohen
Stromsteilheiten
Features
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
High DC blocking stability
High surge current capability
High case non-rupture current
Soft turn-off behavior at high turn-off di/dt
Typische Anwendungen
Mittelspannungsumrichter
Freilaufdiode für IGCT - Applikationen
Freilaufdiode für IGBT - Applikationen
Pulsed Power - Applikationen
Typical Applications
Medium voltage converters
Freewheeling Diode for IGCT - applications
Freewheeling Diode for IGBT - applications
Pulsed power applications
content of customer DMX code
serial number
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
QR class (optional)
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
1
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
Seite/page 1/11
Date of Publication: 2014-04-16
Revision: 8.0
Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
D931SH
T
vj
= 0°C... T
vj max
V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
6500 V
1480 A
940 A
1080 A
1220 A
16000 A
I²t
1280 10³ A²s
P
RQ
4 MW
Elektrische
T
Eigenschaften
= 85°C
c
T
C
= 85°C, f=50Hz
T
C
= 70°C, f=50Hz
T
C
= 55°C, f=50Hz
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vjmax
I
FM
= 2500A, V
CL
= 2800V
clamp circuit L
S
≤ 0,25µH
R
CL
= 68, C
CL
= 3µF
D
CL
= 34DSH65
I
FSM
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
200A
i
F
3000A
failure rate
< 100
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2500A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
V
R(D)
v
F
V
(TO)
r
T
typ.
estimate
value
typ.
max.
typ.
max.
typ.
max.
A
B
C
D
0,702
3200 V
4,82 V
5,60 V
1,78 V
1,99 V
1,21 mΩ
1,44 mΩ
0,000412
-0,0354
0,0673
0,739
0,00019
-0,1355
0,1084
typ.
max.
max.
max.
max.
typ.
430 V
100 mA
3500 mAs
1300 A
8 Ws
1,6
v
F
½
A
B
i
F
C
Ln ( i
F
1)
D
i
F
max.
A
B
C
D
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Sperrstrom
reverse current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
T
vj
= T
vjmax
, d
iF
/dt = 5000A/µs
I
FM
= 4000A
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
T
vj
= T
vjmax
I
FM
= 2500A, V
CL
= 2800V,
-di/dt = 1000A/µs
clamp circuit L
S
≤ 0,25µH,
R
CL
= 68Ω, C
CL
= 3µF,
D
CL
= 34DSH65,
T
vj
= T
vjmax
I
FM
= 2500A, V
R
= 2800 V,
-di
rr
/dt
(i=0)
rf
V
FRM
i
R
Q
r
I
RM
W
RQ
F
RRS
= 200ns
prepared by: TM
approved by: JP
Date of Publication: 2014-04-16
date of publication:
revision:
2014-04-16
8.0
Revision: 8.0
Seite/page 2/11
Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D931SH
Kühlfläche / cooling surface
Thermische Eigenschaften
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Mechanische Eigenschaften
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
11,1
10,0
17,4
23,6
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
3,0 K/kW
6,0 K/kW
140 °C
0...+140 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Luftstrecke
air distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50 Hz
F
G
typ.
Seite 3
page 3
27...45 kN
850 g
30 mm
17 mm
C
50 m/s²
Date of Publication: 2014-04-16
Revision: 8.0
Seite/page 3/11
Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D931SH
Maßbild
1:
Anode/Anode
1
2
2:
Kathode/Cathode
Date of Publication: 2014-04-16
Revision: 8.0
Seite/page 4/11
Technische Information /
technical information
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
D931SH
thJC
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
R
thn
[K/kW]
1
3,54
0,9
10,6
4,89
16,87
4,52
2
3,73
0,118
0,39
0,253
0,24
0,745
3
1,55
0,0282
4,62
0,0883
4,26
0,113
4
0,93
0,00422
1,16
0,00932
1,3
0,0214
5
0,25
0,00134
0,63
0,00185
0,93
0,00359
6
7
τ
n
[s]
R
thn
[K/kW]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[K/kW]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
n
max
n=1
R
thn
1
e
n
-t
c
l
25
20
a
l
15
b
l
10
5
0
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z
for DC
a
: Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b
: Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c
: Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Date of Publication: 2014-04-16
Revision: 8.0
thJC
= f(t)
Z
thJC
[K/kW]
Seite/page 5/11
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
