20A Avg. 65Volts
ＵＣＱＳ２０Ａ０６５
構造：ショットキーバリアダイオード（SBD）
Construction : Schottky Barrier Diode
Schottky Barrier Diode
DSE-13054（1/2）
外½寸法図
OUTLINE DRAWING
Dimension : mm
Package : TO-263LP
用途：高周波整流用
Application : High-Frequency Rectification
特長
薄型 SMD
½熱抵抗
高電流
Tj=150℃
Feature
Lower Profile SMD
Lower Thermal-Resistance
High Current Capability
Tj=150℃
■
■
Weight
: 0.59g（typ.）
Flammability : Epoxy Resin=UL94V-0 Recognized
■ 絶対最大定格（表示無き場合
項目
Item
くり返しピーク逆電圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
平均整流電流
Average Rectified Output Current
実効順電流
RMS Forward Current
サージ順電流
Surge Forward Current
動½接合温度範囲
Operation Junction Temperature Range
保存温度範囲
Storage Temperature Range
Ta=25℃）
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
o
C unless otherwise stated)
記号
Symbol
条件
Conditions
定格値
Rating
単½
Units
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
－
50Hz 正弦全波,抵抗負荷
Tc=117℃ V
RM
=30V
50H Full Sine Wave， Resistive Load
－
50Hz 正弦全波 1 サイクル 非繰り返し
50Hz Full Sine Wave，1 cycle，Non-repetitive
－
－
65
20
22.2
220
-40½+150
-40½+150
V
A
A
A
℃
℃
■電気的・熱的特性
Electrical / Thermal Characteristics
項目
Item
ピーク逆電流
Peak Reverse Current
ピーク順電圧
Peak Forward Voltage
接合容量
Junction Capacitance
熱抵抗
Thermal Resistance
記号
Symbol
条件
Conditions
最小値
min.
Per diode
代表値
typ.
最大値
max.
単½
Units
I
RM
V
FM
Cj
Rth(j-c)
V
RM
=V
RRM
，T
j
=25℃，
-
-
-
-
-
-
290
-
1
0.60
-
2
mA
V
pF
℃/W
I
FM
=10A，T
j
=25℃，
Per diode
f=100kHz，V
R
=10V，
Per diode
接合部・ケース間
Junction to Case
●
本資料の記載内容は½品改良などのため予告なく変更することがあります
。
Date of issue 2013.10.7
●
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京公网安备 11010802033920号
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