U2896B
Modulation PLL for GSM, DCS and PCS Systems
Description
The U2896B is a monolithic integrated circuit manu-
factured using TEMIC Semiconductors’ advanced
silicon bipolar UHF5S technology. The device integrates
a mixer, an I/Q modulator, a phase-frequency detector
(PFD) with two synchronous programmable dividers, and
a charge pump. The U2896B is designed for cellular
phones such as GSM900, DCS1800, and PCS1900,
applying a transmitter architecture at which the VCO
operates at the TX output frequency. No duplexer is
needed since the out-of-band noise is very low. The
U2896B exhibits low power consumption. Broadband
operation provides high flexibility for multi-band
frequency mappings. The IC is available in a shrinked
small-outline 36-pin package (SSO36).
Electrostatic sensitive device.
Observe precautions for handling.
Features
D
Supply voltage range 2.7 V to 5.5 V
D
Current consumption 50 mA
D
Power-down functions
D
High-speed PFD and charge pump (CP)
D
Small CP saturation voltages (0.5/0.6 V)
D
Programmable dividers and CP polarity
D
Low-current standby mode
Benefits
D
D
D
D
D
D
Novel TX architecture saves filter costs
Extended battery operating time without duplexer
Less board space (few external components)
VCO control without voltage doubler
Small SSO36 package
One device for all GSM bands
Block Diagram
VS1 GND1 I NI
6
MDLO 3
NMDLO 4
MDO
NMDO
7
8
Modulator
5 1
2
Q NQ
36
LO
V
Ref
90°
Mixer
24
31
29
28
30
35
23
PU
NMIXOMIXO PUMIX MIXLO
32
33 34
25
NMIXLO
VS3
RF
NRF
GND3
22
ND
NND
15
RD
NRD
16
R
1:2
Mode control
17
MC
27
26
13
CPCL
14
CPCH
14891
21
N
1:2
MUX
PFD
Charge
pump
10
11
12
VSP
CPO
GNDP
VS2 GND2
Figure 1. Block diagram
Rev. A1, 20-May-99
1 (13)
Preliminary Information
U2896B
Ordering Information
Extended Type Number
U2896B-MFC
U2896B-MFCG3
Package
SSO36
SSO36
Remarks
Tube
Taped and reeled
Pin Description
I
NI
MDLO
NMDLO
GND1
VSI
1)
MDO
NMDO
SUB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
36 Q
35 NQ
34 PUMIX
33 MIXO
32 NMIXO
31 VS3
1)
30 GND3
29 RF
28 NRF
27 VS2
1)
26 GND2
25 MIXLO
24 NMIXLO
23 PU
22 ND
21 NND
20 PCH
19 CSU
14892
VSP 10
CPO 11
GNDP 12
CPCL 13
CPCH 14
RD 15
NRD 16
MC 17
CGNDP 18
Figure 2. Pinning
2 (13)
Preliminary Information
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁ
Á
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
Symbol
I
NI
MDLO
NMDLO
GND1
VS1
1)
MDO
NMDO
SUB
VSP
CPO
GNDP
CPCL
CPCH
RD
NRD
MC
CGNDP
CSU
PCH
NND
ND
PU
NMIXLO
MIXLO
GND2
VS2
1)
NRF
RF
GND3
VS3
1)
NMIXO
MIXO
PUMIX
NQ
Q
Function
In-phase baseband input
Complementary to I
I/Q-modulator LO input
Complementary to MDLO
Ground
Supply I/Q modulator
I/Q modulator
Complementary to MDO
Substrate, connected to GND
Supply charge pump
Charge-pump output
Ground
Charge-pump current control GSM1800
Charge-pump current control GSM900
R-divider input
Complementary to RD
Mode control
GND for charge-pump blocking (op-
tional)
Charge-pump blocking (optional)
Precharge for loop filter (optional)
Complementary to ND
N-divider input
Power-up. whole chip, except mixer
Complementary to MIXLO
Mixer LO input
Ground
Supply (MISC)
Complementary to RF
Mixer RF input
Ground
Supply mixer
Complementary to MIXO
Mixer output
Power-up mixer
Complementary to Q
Quad-phase baseband input
1)
Between the Pins VS1, VS2 and VS3 the allowed maxi-
mum voltage is
≤
200 mV
Rev. A1, 20-May-99
Á Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á Á Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁ Á Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁ Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
1)
2)
V
S
= 2.7 to 5.5 V, T
amb
= –20°C to +85°C, final test at 25°C
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Electrical Characteristics
Thermal Resistance
Operating Range
Parameters
Junction ambient SSO36
Supply voltage
Supply voltage
Ambient temperature
Parameters
Symbol
R
thJA
Symbol
V
VS#
V
VSP
T
amb
| I
CPC
|
T
amb
T
stg
5
–20 to +85
–40 to +125
Value
2.7 to 5.5
2.7 to 5.5
–20 to +85
Value
130
Unit
K/W
Unit
V
V
°C
mA
°C
°C
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á
Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Supply voltage VS1, VS2, VS3
Supply voltage charge pump VSP
Voltage at any input
Current at any input / output pin
except CPC
CPC output currents
Ambient temperature
Storage temperature
Symbol
V
VS#
V
VSP
V
Vi#
| I
I#
| | I
O#
|
–0.5
Rev. A1, 20-May-99
Active (V
PU
= VS)
Standby (V
PU
= 0)
Supply current I
VS2
pp y
Active (V
PU
= VS)
Standby (V
PU
= 0)
Supply current I
VS3
pp y
Active (V
PUMIX
= VS)
Standby (V
PUMIX
= 0)
1)
Supply current I
VSP
Active
(V
PU
= VS, CPO open)
Standby (V
PU
= 0)
N & R divider inputs ND, NND & RD, NRD
N:1 divider frequency
50-
W
source
R:1 divider frequency
50-
W
source
Input impedance
Active & standby
Input sensitivity
50-
W
source
Input capacitance
Active & standby
Parameters
DC supply
Supply voltages VS#
Supply voltage VSP
Supply current I
VS1
pp y
Mean value, measured with F
ND
= 151 MHz, F
RD
= 150 MHz, current vs. time, figure 3
For optimized noise performance this voltage level may be higher
V
VS1
= V
VS2
= V
VS3
Test Conditions / Pin
f
ND
f
RD
Z
RD
, Z
ND
V
RD
, V
ND
C
RD
, C
ND
Symbol
I
VSPY
V
VS#
V
VSP
I
VS1A
I
VS1Y
I
VS2A
I
VS2Y
I
VS3A
I
VS3Y
I
VSPA
2.7
V
VS#
– 0.3
Min.
100
100
1
5
2)
Preliminary Information
v
Value
V
VSP
5.5
V
Vi#
V
VS#
+0.5
2
v
Typ.
v
1.4
13
17
17
U2896B
Max.
200
0.5
600
600
5.5
5.5
22
20
22
20
17
30
1.8
20
MHz
MHz
k
W
mV
rms
pF
Unit
V
V
V
mA
Unit
V
V
mA
m
A
mA
m
A
mA
m
A
mA
m
A
3 (13)
Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
4)
5)
6)
7)
V
S
= 2.7 to 5.5 V, T
amb
= –20°C to +85°C, final test at 25°C
Electrical Characteristics (continued)
U2896B
4 (13)
AC voltage
Differential (preferres)
I/Q modulator LO input MDLO
MDLO
Frequency range
Input impedance
Active & standby
Input level
50-
W
source
I/Q modulator outputs MDO, NMDO
DC current
V
MDO
, V
NMDO
= VS
Internal pull-up resistor
Voltage compliance
V
MDO
, V
NMDO
= VC
MDO output level
615
W
to VS
6)
(differential)
1.5 pF external load
6)
Carrier suppression
Sideband suppression
6)
IF spurious
6)
f
LO
±
3 f
mod
6)
Noise
@ 400 kHz off carrier
Frequency range
Mixer (900 MHz)
RF input level
900 MHz
Output resistance
LO spurious at
@ P9
MIXLO
= –10 dBm
RF/NRF port
@ P9
RF
= –15 dBm
MIXLO input level
0.05 to 2 GHz
MIXO
Frequency range
7)
differen-
Output level
@ P9
MIXLO
= –15 dBm
tial
Carrier suppression
@ P9
MIXLO
= –15 dBm
MD_IQ
AC voltage
5)
Parameters
Test Conditions / Pin
Phase-frequency detector (PFD)
PFD operation
f
ND
= 600 MHz, N = 2
f
RD
= 600 MHz, R = 2
Frequency comparison
f
ND
= 600 MHz, N = 2
4)
only
f
RD
= 450 MHz, R = 2
I/Q modulator baseband inputs I, NI & Q, NQ
DC voltage
Referred to GND
Frequency range
Referred to GND
I
MDO
, I
NMDO
R
MDO
, R
NMDO
VC
MDO
, VC
NMDO
V
S
– 0.7
P
MDO
40
V
I,
V
NI,
V
Q,
V
NQ
P9
RF
R
MIXO
, R
NMIXO
SP9
RF
f
IO
AC
I,
AC
NI,
AC
Q,
AC
NQ
AC
DI,
AC
DQ
CS9
MIXO
P9
MIXLO
f
MIXO
P9
MIXO
Symbol
CS
MDO
SS
MDO
SP
MDO
N
MDO
f
MDO
f
MDLO
Z
MDLO
P
MDLO
f
PFD
f
FD
Min.
1.35
–20
–22
50
–23
100
–32
–35
–14
100
50
0
VS1/2
Typ.
650
–35
–40
–50
0.8
615
400
200
3
–11
80
PFD can be used as a frequency comparator until 300 MHz for loop acquisition
Single-ended operation (complementary baseband input is AC-grounded) leads to reduced linearity
(degrading suppression of odd harmonics)
With typical drive levels at MDLO- & I/Q-inputs
–1 dB compression point C = 1.5 pF to GND
Preliminary Information
Rev. A1, 20-May-99
VS1/2
+ 0.1
1
Max.
–45
–115
450
–12
450
–40
–17
450
400
300
5.5
60
–5
dBc
dBc
dBc
dBc/Hz
MHz
dBm
MHz
mV
rms
V
mV
rms
mV
pp
MHz
mV
pp
MHz
k
W
dBm
MHz
MHz
dBm
dBm
Unit
mA
dBc
W
W
V
Á Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
Á
Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
Á
Á
Á
Á ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁ Á Á Á
Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
ÁÁÁÁ Á Á Á
Á Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á Á
Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
Á Á Á
Á
Á
ÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁÁ
V
S
= 2.7 to 5.5 V, T
amb
= –20°C to +85°C, final test at 25°C
Rev. A1, 20-May-99
8)
9)
10)
Electrical Characteristics (continued)
Parameters
Test Conditions / Pin
Symbol
Mixer (1900 MHz)
Output resistance
R
MIXO
, R
NMIXO
RF input level
0.5 to 2 GHz
P19
RF
LO spurious at
@ P19
MIXLO
= –10 dBm
SP19
RF
RF/NRF ports
@ P19
RF
= –15 dBm
MIXLO input level
0.05 to 2 GHz
P19
MIXLO
MIXO
Output level
8)
differen- @ P19
MIXLO
= –17 dBm
P19
MIXO
tial
Carrier suppression
@ P19
MIXLO
= –17 dBm
CS19
MIXO
Charge-pump output CPO (V
VSP
= 5 V; V
CPO
= 2.5 V)
Pump-current p
pulse
R
CPCH 9)
= 4.7 kΩ
| I
CPO_H
|
p
R
CPCL 10)
= 2.4 kΩ
| I
CPO_L
|
Sensivity to V
VSP
S
ICPO
D
I
D
V
VSP
|
|
CPO
|
|
I
CPO
V
VSP
Mode control
Sink current
V
MC
= VS
I
MC
Power-up input PU
(power-up for all functions, except mixer)
Settling time
Output power within 10%
S
PU
of steady state values
High level
Active
V
PUH
Low level
Standby
V
PUL
High-level current
Active, V
PUH
= 2.2 V
I
PUH
Low-level current
Standby, V
PUL
= 0.4 V
I
PUL
Power-up input PUMIX (power-up for mixer only)
Settling time
Output power within 10%
t
setl
of steady state values
High level
Active
V
PUMIXH
Low level
Standby
V
PUMIXL
High-level current
Active, V
PUMIXH
= 2.2 V
I
PUMIXH
Low-level current
Standby,
I
PUMIXL
V
PUMIXL
= 0.4 V
V
CPO
voltage range
– 1 dB compression point C = 1.5 pF to GND
R
CPCH
: external resistor to GND for charge-pump current control (MODE 1, 5, only Pin 14 active)
R
CPCL
: external resistor to GND for charge-pump current control (MODE 2, 3, 4, only Pin 13 active)
| I
CPO
| degradation <
10%
(V
VSP
= 2.7 V to 5 V)
Preliminary Information
V
CPO
Min.
–20
–22
–23
2.0
0
0.1
–1
2.0
0
0.5
1.4
3
–1
Typ.
650
60
70
5
5
2
4
V
VSP
–0.6
U2896B
Max.
–12
–17
–40
0.4
70
20
0.4
70
20
2.6
5
0.1
10
10
mVrms
dBm
dBm
dBm
Unit
dBc
mA
mA
–
V
V
m
A
m
A
V
V
m
A
m
A
m
A
5 (13)
m
s
m
s
W
V
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
