MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
BUL43B
Product Preview
SWITCHMODE NPN Silicon
Planar Power Transistor
The BUL43B has an application specific state–of–the–art die designed for use in
220 V line operated Switchmode Power supplies and electronic ballast (“light
ballast”). The main advantages brought by this new transistor are:
•
Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:
— High and Flat DC Current Gain hFE
— Fast and Tightened Switching Distributions
— No Coil Required in Base Circuit for Fast Turn–Off (no current tail)
POWER TRANSISTORS
2 AMPERES
700 VOLTS
40 WATTS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCEO
VCBO
VCES
Value
350
650
650
9
2
4
1
2
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Voltage
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Base Current — Continuous
Base Current
— Peak (1)
*Total Device Dissipation @ TC = 25
_
C
*Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature
40
0.32
Watt
W/
_
C
TJ, Tstg
– 65 to 150
CASE 221A–06
TO–220AB
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Thermal Resistance
— Junction to Case
— Junction to Ambient
_
C/W
R
θJC
R
θJA
TL
3.125
62.5
260
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:
1/8″ from case for 5 seconds
_
C
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle.
This document contains information on a product under development. Motorola reserves the right to change or discontinue this product without notice.
3–304
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25°C unless otherwise noted)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
≤
10%, Pulse Width = 20
µs)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
Fall Time
Turn–off Time
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc)
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCES, VEB = 0)
Input Capacitance
(VEB = 8 V)
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Current Gain Bandwidth
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
DC Current Gain
(IC = 1 Adc, VCE = 2 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 2 Adc, IB = 0.5 Adc)
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
(IC = 2 Adc, VCE = 5 Vdc)
IC = 2.5 Adc, IB1 = 0.5 Adc
IB2 = 0.5 Adc
VCC = 150 Vdc
IC = 1.2 Adc, IB1 = 0.4 Adc
IB2 = 0.1 Adc
VCC = 300 Vdc
Characteristic
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
@ TC = 25°C
VCEO(sus)
VCE(sat)
VBE(sat)
Symbol
ICEO
IEBO
ICES
Cob
hFE
Cib
toff
fT
tf
Min
350
4.7
8
6
Typ
400
40
13
1.25
Max
10
200
800
100
100
5.8
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
BUL43B
3–305
µAdc
µAdc
µAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
µs
ns
—
—
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369
1
2
3
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)
Device Type
ICCont
Amps
Max
1
2
VCEO(sus)
Volts
Min
250
400
700
1000
3
5
100
100
400
450
700
1000
1000
550
6
400
450
8
80
150
400
700
1200
700
1000
VCES
Volts
Min
hFE
Min/Max
30/150
14/34
14/34
@ IC
Amp
0.3
0.2
0.2
1
3
0.3
.005
0.3
0.5
0.5
0.5
2
3
5
1
1
4
4
3
1.5
8
Resistive Switching
ts
µs
Max
2 typ
2.75(3)
2.75(3)
0.6
1.5 typ
1.7(3)
4
1.7(3)
2.75(3)
2.5(3)
3.2(3)
0.5 typ
1 typ
3
2.5(3)
2.75(3)
—
0.5 typ
1.5 typ
2.75(3)
3
tf
µs
Max
0.17 typ
0.2(3)
0.175(3)
0.3
1.5 typ
0.15(3)
0.8
0.15(3)
0.2(3)
0.15(3)
0.15(3)
0.13 typ
0.15 typ
0.7
0.18(3)
0.18(3)
—
0.14 typ
1.5 typ
0.2(3)
0.7
3
8
@ IC
Amp
0.3
1
1
1
3
1
2.5
1
2
3
3
2
3
5
2
2
—
5
13 typ
12
14 typ
14 typ
4
30
4
14 typ
13 typ
2
40
20(1)
12
8
fT
MHz
Min
10
13 typ
13 typ
3
4(1)
12 typ
PD (Case)
Watts
@ 25°C
28
25
25
28
28
35
40
35
35
40
40
35
35
40
45
45
40
35
40
50
40
NPN
PNP
MJF47
BUL44F
MJF18002
MJF31C
MJF122
(2)
BUL45F
BUT11AF
MJF18004
MJF18204
BUL146F
MJF18006
MJF6107
MJF15030
MJF13007
BUL147F
MJF15031
MJF32C
MJF127
(2)
10 min
2000 min
14/34
10 min
14/34
18/35
14/34
14/34
30/90
40 min
5/30
14/34
16/34
450
10
60
80
100
450
12
400
1000
MJF18008
MJF3055
MJF44H11
MJF6388
(2)
MJF2955
MJF45H11
MJF6668
(2)
20/100
40/100
3k/20k
14/34
6/30
1000
700
MJF18009
MJF13009
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Selector Guide
2–3
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
4
Table 2. Plastic TO–220AB
Device Type
ICCont
Amps
Max
0.5
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
350
hFE
Min/Max
15 min
40 min
TIP30C
15/75
30/150
MJE5730
30/150
30/150
30/150
500 min
14/36
30
14/34
3 min
BD242B
BD242C
25 min
25 min
25 min
50/200
@ IC
Amp
0.1
0.1
1
0.3
0.3
0.3
0.3
2
0.4
0.1
0.2
1
1
1
1
0.5
0.6 typ
0.6 typ
2 typ
2 typ
2 typ
2 typ
1.7 typ
2.75(3)
3.5
3(3)
4 typ
ts
µs
Max
1
2
3
CASE 221A–06
(TO–220AB)
PD
(Case)
Watts
@ 25°C
30
30
30
40
40
40
40
50
50
50
40
80
3
3
40
40
40
40
Resistive Switching
tf
µs
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
10 typ
10 typ
0.3 typ
0.18 typ
0.18 typ
0.18 typ
0.18 typ
1.3 typ
0.175(3)
1.4
0.17(3)
0.8 typ
1
0.3
0.3
0.3
0.3
2
1
1
1
1
3
10
10
10
10
25(1)
13 typ
4
12 typ
NPN
MJE2360T
PNP
MJE2361T
1
100
250
300
350
400
2
100
400/700
450/1000
450/1000
900/1800
3
80
100
TIP29C
TIP47
TIP48
TIP49
TIP50
TIP112
(2)
BUL44
BUX85
MJE18002
MJE1320
BD241B
BD241C
MJE5731
MJE5731A
(7)
TIP117
(2)
TIP31C
150
TIP32C
MJE9780
0.3 typ
1
3
5 typ
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)V
CEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is V
CEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Selector Guide
2–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
Device Type
ICCont
Amps
Max
4
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
40
60
80
400/700
5
100
250
300
400/700
450/1000
450/850
450/1000
550/1200
6
80
100
hFE
Min/Max
45/100
750 min
40/120
6/30
@ IC
Amp
4
1.5
0.2
3
3
2.5
2.5
0.3
5
5
0.3
0.5
3
3
3
6
0.5
0.5
3
2.5
2
3
1.5
1.5
2.5
0.75
0.75
5
5
3
1.5 typ
1.8
1.8
1.7(3)
3
2.7
1.7
2.75(3)
0.4 typ
0.4 typ
0.4 typ
1.5(2)
1.75(3)
3.2(3)
0.4 typ
0.4 typ
0.4 typ
0.7
1.5 typ
0.8
0.8
0.15(3)
0.3
0.35
0.15
0.2(3)
0.15 typ
0.15 typ
0.15 typ
0.15(2)
0.15(3)
0.13(3)
0.15 typ
0.15 typ
0.15 typ
1
3
4
2.5
2.5
1
3
3
1.0
2
3
3
3
1
3
3
3
3
3
13
12
3
3
3
10
14 typ
14 typ
4
4
4
3
10
10
7.5
Resistive Switching
ts
µs
Max
tf
µs
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
5
1(1)
40 typ
4
4(1)
5
5
12 typ
PD
(Case)
Watts
@ 25°C
75
40
30
60
75
80
80
75
80
80
75
75
65
65
65
80
100
100
40
40
40
65
60
60
75
NPN
PNP
MJE1123
MJE800
(2)
D44C12
MJE13005
TIP122
(2)
2N6497
MJE700
(2)
D45C12
TIP127
(2)
1k min
10/75
10/75
14/34
5 min
7 min
14/34
18/35
2N6498
BUL45
MJE16002
MJE16004
MJE18004
MJE18204
BD243B
BD243C
TIP41C
BD244B
BD244C
TIP42C
15 min
15 min
15/75
5 min
14/34
14/34
250/550
400/700
450/1000
7
30
50
70
100
150
200
450
MJE16204
BUL146
MJE18006
2N6288
2N6111
2N6109
30/150
30/150
30/150
15 min
30 min
30 min
250 min
2N6292
BD801
BU407
2N6107
BD802
BU406
BU522B
(2)
(1)|h | @ 1 MHz
FE
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
(7)V
CEO = 375 V
(8)When 2 voltages are given, the format is V
CEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Selector Guide
2–5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
