FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS501-00020-3v0-J
メモリ
FRAM
128 K (16 K×8)
ビット
SPI
MB85RS128B
■
概 要
MB85RS128B
は
,
不揮発性メモリセルを½成する強誘電½プロセスとシリコンゲート
CMOS
プロセスを用いた
16,384
ワード
×8
ビット構成の
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory
強誘電½ランダムアクセスメモリ
)
です。
：
MB85RS128B
は
,
シリアルペリフェラルインタフェース
(SPI)
を採用しています。
MB85RS128B
は
, SRAM
のようにデータバックアップ用バッテリを½用することなくデータ保持が可½です。
MB85RS128B
に採用しているメモリセルは
10
12
回の書込み
/
読出し動½が可½で
,
フラッシュメモリや
E
2
PROM
の書換
え可½回数を大きく上回ります。
し
MB85RS128B
はフラッシュメモリや
E
2
PROM
のような長い書込み時間は必要とせず
,
書込みの待ち時間はゼロです。
たがって
,
書込み完了待ちのシーケンスを必要としません。
■
特 長
・ ビット構成
：
16,384
ワード
×8
ビット
・ シリアルペリフェラルインタフェース ：
(Serial Peripheral Interface)
SPI
SPI
モード
0 (0, 0)
とモード
3(1, 1)
に対応
・ 動½周波数
：
READ
を除くすべてのコマンド
33 MHz (Max)
READ
コマンド
25 MHz (Max)
12
・ 書込み
/
読出し耐性
：
10
回
/
バイト
・ データ保持特性
： 年
(
＋
85
°C),
95
年
(
＋
55
°C),
200
年以上
(
＋
35
°C)
10
・ 動½電源電圧
：
V
∼
3.6 V
2.7
・ ½消費電力
：
動½電源電流
6 mA (Typ@33 MHz)
スタンバイ電流
9
μA
(Typ)
・ 動½周囲温度
：
40
°C
∼＋
85
°C
−
・ パッケージ
：
プラスチック
SOP, 8
ピン
(FPT-8P-M02)
本½品は
RoHS
指令に適合しています。
Copyright©2012-2013 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED All rights reserved
2013.11
MB85RS128B
■
端子配列図
(TOP VIEW)
CS
1
8
VDD
SO
2
7
HOLD
WP
3
6
SCK
GND
4
5
SI
(FPT-8P-M02)
■
端子機½説明
端子番号
端子名
機½説明
チップセレクト端子
チップを選択状態にするための入力端子です。CS が
“H”
レベルのとき
,
チップは非選択
(
ス
タンバイ
)
状態となり
, SO
は
High-Z
になります。このとき
,
他の端子の入力は無視されます。
オペコード入力前に
CS
を
CS
が
“L”
レベルのとき
,
チップは選択
(
アクティブ
)
状態となります。
立ち下げる必要があります。
ライトプロテクト端子
ステータスレジスタへの書込みを制御する端子です。WP と
WPEN(「
■
ステータスレジスタ」
参照
)
とが関連して
,
ステータスレジスタの書込みをプロテクトします。詳細な説明は
,
「
■
書込みプロテクト」を参照してください。
ホールド端子
チップを非選択状態にせずにシリアル入出力を休止するときに½用します。HOLD が
“L”
レ
ベルのとき
,
ホールド動½となり
, SO
は
High-Z
に
, SCK, SI
は
don’t care
になります。ホール
ド動½中は
CS
を
“L”
レベルに保たなければなりません。
シリアルクロック端子
シリアルデータの入出力のためのクロック入力端子です。SI は
SCK
の立上りエッジに同期し
て取り込まれ
, SO
は
SCK
の立下りエッジに同期して出力されます。
シリアルデータ入力端子
シリアルデータの入力端子です。オペコード
,
アドレス
,
書込みデータを入力します。
シリアルデータ出力端子
シリアルデータの出力端子です。FRAM メモリセルアレイの読出しデータ
,
ステータスレジス
タのデータが出力されます。スタンバイ時は
High-Z
です。
電源電圧端子
グランド端子
1
CS
3
WP
7
HOLD
6
SCK
5
SI
2
8
4
SO
VDD
GND
2
DS501-00020-3v0-J
MB85RS128B
■
ブロックダイヤグラム
SI
シリアル パラレル コンバータ
・
・
ローデコーダ
FRAM
アレイ
16,384×8
CS
コントロール回路
アドレスカウンタ
SCK
FRAM
ステータスレジスタ
HOLD
コラムデコーダ
/
センスアンプ
/
ライトアンプ
WP
データレジスタ
SO
パラレル シリアル コンバータ
・
・
■
SPI
モード
MB85RS128B
は
SPI
モード
0 (CPOL
＝
0, CPHA
＝
0)
と
SPI
モード
3 (CPOL
＝
1, CPHA
＝
1)
に対応します。
CS
SCK
SI
7
MSB
6
5
4
3
2
1
0
LSB
SPI
モード
0
CS
SCK
SI
7
MSB
6
5
4
3
2
1
0
LSB
SPI
モード
3
DS501-00020-3v0-J
3
MB85RS128B
■
シリアルペリフェラルインタフェース
(SPI)
MB85RS128B
は
SPI
のスレーブとして動½します。 ポートを備えたマイクロコントローラを用いて複数のチップを
SPI
接続することができます。
また
, SPI
ポートを備えていないマイクロコントローラでは
SI
と
SO
をバス接続して½用する
こともできます。
SCK
MOSI
MISO
SO
SPI
マイクロ
コントローラ
SI
SCK
SO
SI
SCK
MB85RS128B
CS
SS1
SS2
HOLD1
HOLD2
HOLD
MB85RS128B
CS
HOLD
MOSI
：マスタアウトスレーブイン
MISO
：マスタインスレーブアウト
SS
：スレーブセレクト
SPI
ポートがある場合のシステム構成図
マイクロ
コントローラ
SO
SI
SCK
MB85RS128B
CS
HOLD
SPI
ポートがない場合のシステム構成図
4
DS501-00020-3v0-J
MB85RS128B
■
ステータスレジスタ
ビット番号
ビット名
説明
ステータスレジスタライトプロテクト
不揮発性メモリ
(FRAM)
からなるビットです。WPEN は
WP
入力と関連し
てステータスレジスタの書込みをプロテクトします
(「■
書込みプロテク
ト」を参照
)
。WRSR コマンドによる書込み
, RDSR
コマンドによる読出し
が可½です。
未½用
不揮発性メモリからなるビットで
WRSR
コマンドによる書込みが可½で
す。出荷時は
“000”
が書き込まれています。これらのビットは½用しませ
んが
RDSR
コマンドで読み出されます。
ブロックプロテクト
不揮発性メモリからなるビットです。WRITE コマンドにおける書込みプロ
テクトのブロックサイズを定義します
(「■
ブロックプロテクト」を参照
)
。
WRSR
コマンドによる書込み
, RDSR
コマンドによる読出しが可½です。
ライトイネーブルラッチ
FRAM
アレイおよびステータスレジスタが書込み可½であることを示しま
す。WREN コマンドでセット
, WRDI
コマンドでリセットします。RDSR コ
マンドで読出しが可½ですが
WRSR
コマンドで書き込むことはできませ
ん。WEL は以下の動½の後リセットされます。
電源立上げ後
WRDI
コマンド認識後
WRSR
コマンド認識後の
CS
の立ち上り時
WRITE
コマンド認識後の
CS
の立ち上り時
“0”
固定です。
7
WPEN
6
∼
4
⎯
3
2
BP1
BP0
1
WEL
0
0
■
オペコード
MB85RS128B
はオペコードで指定される
8
種のコマンドを受け付けます。
オペコードは下表に示す
8
ビットからなる
コードです。
これ以外の無効なコードは入力しないでください。
オペコード入力中に
CS
を立ち上げるとコマンドは実行さ
れません。
コード名
WREN
WRDI
RDSR
WRSR
READ
WRITE
RDID
FSTRD
機½
セットライトイネーブルラッチ
リセットライトイネーブルラッチ
リードステータスレジスタ
ライトステータスレジスタ
リードメモリコード
ライトメモリコード
リードデバイス
ID
ファストリードメモリコード
オペコード
0000 0110
B
0000 0100
B
0000 0101
B
0000 0001
B
0000 0011
B
0000 0010
B
1001 1111
B
0000 1011
B
DS501-00020-3v0-J
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
