MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N6057 thru 2N6059
(See 2N6050)
Complementary Silicon Plastic
Power Transistors
. . . designed for use in general–purpose amplifier and switching applications.
•
DC Current Gain Specified to 7.0 Amperes
hFE = 30–150 @ IC = 3.0 Adc — 2N6111, 2N6288
hFE
= 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc — All Devices
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) — 2N6111, 2N6288
VCEO(sus)
= 50 Vdc (Min) — 2N6109
VCEO(sus)
= 70 Vdc (Min) — 2N6107, 2N6292
•
High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 4.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6288, 90, 92
fT
= 10 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc — 2N6107, 09, 11
•
TO–220AB Compact Package
2N6107
2N6109*
2N6111
NPN
PNP
2N6288
2N6292*
*Motorola Preferred Device
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î ÎÎ
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
PD
2N6111
2N6288
30
40
2N6109
50
60
2N6107
2N6292
70
80
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
5.0
7.0
10
3.0
Collector Current — Continuous
Peak
Base Current
Total Power Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
40
0.32
Watts
W/
_
C
TJ, Tstg
– 65 to + 150
7 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
30 – 50 – 70 VOLTS
40 WATTS
_
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
Max
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
3.125
_
C/W
CASE 221A–06
TO–220AB
* Indicates JEDEC Registered Data.
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
140
160
Figure 1. Power Derating
Preferred
devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
REV 2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–101
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
t, TIME (
µ
s)
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Max
Unit
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 100 mAdc, IB = 0)
VCEO(sus)
Vdc
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
30
50
70
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
Collector Cutoff Current
(VCE = 20 Vdc, IB = 0)
(VCE = 40 Vdc, IB = 0)
(VCE = 60 Vdc, IB = 0)
ICEO
mAdc
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
1.0
1.0
1.0
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = 60 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = 80 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = 30 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150
_
C)
(VCE = 50 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150
_
C)
(VCE = 70 Vdc, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 150
_
C)
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ICEX
µAdc
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
2N6111, 2N6288
2N6109
2N6107, 2N6292
100
100
100
2.0
2.0
2.0
1.0
mAdc
IEBO
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
(IC = 2.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 2.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
hFE
—
2N6107, 2N6292
2N6109
2N6111, 2N6288
All Devices
30
30
30
2.3
—
—
150
150
150
—
3.5
3.0
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 7.0 Adc, IB = 3.0 Adc)
Base–Emitter On Voltage
(IC = 7.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
VCE(sat)
VBE(on)
Vdc
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 500 mAdc, VCE = 4.0 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
fT
MHz
2N6288, 92
2N6107, 09, 11
4.0
10
—
—
—
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1.0 MHz)
Cob
hfe
250
—
pF
—
Small–Signal Current Gain (IC = 0.5 Adc, VCE = 4.0 Vdc, f = 50 kHz)
20
* Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
µs,
Duty Cycle
(2) fT = |hfe|
•
ftest.
v
v
2.0%.
VCC
+ 30 V
25
µs
+11 V
0
51
– 9.0 V
tr, tf
≤
10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
–4 V
D1
RB
RC
SCOPE
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.07 0.1
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
tr
td @ VBE(off)
≈
5.0 V
RB and RC ARE VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1 MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB
≈
100 mA
MSD6100 USED BELOW IB
≈
100 mA
0.2 0.3
0.5
2.0
1.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
3.0
5.0 7.0
Figure 2. Switching Time Test Circuit
3–102
Figure 3. Turn–On Time
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
2N6107 2N6109 2N6111 2N6288 2N6292
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
SINGLE PULSE
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Z
θJC(t)
= r(t) R
θJC
R
θJC
= 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θJC
(t)
2.0
5.0
t, TIME (ms)
10
20
50
P(pk)
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
100
200
500
1.0 k
t1
Figure 4. Thermal Response
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
15
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
dc
0.5 ms
0.1 ms
0.1
ms
CURRENT LIMIT
SECONDARY
BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
2.0 3.0
20 30
50
5.0 7.0 10
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0 ms
0.3
0.2
0.15
1.0
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
150
_
C. TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will re-
duce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
v
70 100
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.07 0.1
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC/IB = 10
IB1 = IB2
300
200
C, CAPACITANCE (pF)
Cib
100
70
50
Cob
TJ = 25°C
t, TIME (
µ
s)
tr
0.2
1.0
0.3
0.5
2.0 3.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0 7.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
30
50
Figure 6. Turn–Off Time
Figure 7. Capacitance
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3–103
PCB Design
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
