Mini TOPLED
®
LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
weißes SMT-Gehäuse
•
Besonderheit des Bauteils:
kleine Bauform
2,3 mm x 1,3 mm x 1,4 mm
•
Wellenlänge:
628 nm (super-rot), 605 nm
(orange), 590 nm (gelb), 570 nm (grün),
560 nm (pure green)
•
Abstrahlwinkel:
Lambertscher Strahler (120°)
•
Technologie:
GaAlP (super-rot, orange, gelb,
grün), GaP (pure green)
•
optischer Wirkungsgrad:
1,5 lm/W (super-rot,
orange, gelb), 2,5 lm/W (grün),
0,6 lm/W (pure green)
•
Gruppierungsparameter:
Lichtstärke
•
Verarbeitungsmethode:
für alle
SMT-Bestücktechniken geeignet
•
Lötmethode:
IR Reflow Löten
•
Vorbehandlung:
nach JEDEC Level 2
•
Gurtung:
8-mm Gurt mit 3000/Rolle, ø180 mm
oder 12000/Rolle, ø330 mm
Anwendungen
• Optischer Indikator
• Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,
Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung)
• Einkopplung in Lichtleiter
• Informationsanzeigen im Innenbereich
• Innenbeleuchtung im Automobilbereich
(z.B. Instrumentenbeleuchtung, u.ä.)
• Markierungsbeleuchtung (z.B. Stufen,
Fluchtwege, u.ä.)
Features
•
package:
white SMT package
•
feature of the device:
small package
2.3 mm x 1.3 mm x 1.4 mm
•
wavelength:
628 nm (super-red), 605 nm
(orange), 590 nm (yellow), 570 nm (green),
560 nm (pure green)
•
viewing angle:
Lambertian Emitter (120°)
•
technology:
GaAlP (super-red, orange, yellow,
green), GaP (pure green)
•
optical efficiency:
1.5 lm/W (super-red,
orange, yellow), 2.5 lm/W (green),
0.6 lm/W (pure green)
•
grouping parameter:
luminous intensity
•
assembly methods:
suitable for all
SMT assembly methods
•
soldering methods:
IR reflow soldering
•
preconditioning:
acc. to JEDEC Level 2
•
taping:
8-mm tape with 3000/reel, ø180 mm
or 12000/reel, ø330 mm
Applications
• optical indicators
• backlighting (LCD, cellular phones, switches,
keys, displays, illuminated advertising, general
lighting)
• coupling into light guides
• indoor displays
• interior automotive lighting. (e.g. dashboard
backlighting, etc.)
• marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.)
2000-06-06
1
LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
(typ.)
Symbol
Symbol
LS
LO
Wert
Value
LY
LG
LP
Einheit
Unit
peak
635 610 586 565 557 nm
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
V
F
V
F
I
R
I
R
l
dom
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 10 mA
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
I
F
= 10 mA
(typ.)
TC
V
2000-06-06
5
h
(typ.)
opt
l
l
l
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of
I
F
= 10 mA
l
l
Temperaturkoeffizient von
Temperature coefficient of
I
F
= 10 mA
peak
peak
TC
peak
0.11 0.12 0.10 0.11 0.11 nm/K
dom
(typ.)
TC
dom
0.07 0.07 0.07 0.07 0.05 nm/K
– 1.9 – 1.9 – 1.9 – 1.4 – 2.1 mV/K
1.5
1.5
1.5
2.5
0.6
m
m
j
(typ.)
lD
(typ.)
l
2
(typ.)
l
dom
628 605 590 570 560 nm
45
40
45
25
22
nm
120 120 120 120 120 Grad
deg.
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
A
A
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01
10 10 10 10 10
lm/W
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
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