TRIAC
( Through Hole/Non-isolated)
TMG2DQ60C
0.70
±
0.20
(Tj=150℃ / Sensitive Gate)
TO-251
2.30
0.10
±
0.50
0.10
±
TC POINT
2
2
Triac
TMG2DQ60C
is designed for full wave AC control applications.
It can be used as an ON/OFF function or for phase control operation.
Typical Applications
6.60
0.20
±
5.34
0.30
±
Home Appliances : Washing Machines, Vacuum Cleaners, Rice Cookers, Micro
Wave Ovens, Hair Dryers, other control applications
●
Industrial Use
: SMPS, Copier Machines, Motor Controls, Dimmer, SSR,
Heater Controls, Vending Machines, other control
applications
●
1
3
6.10
±
0.20
1.80
0.20
±
1.07
9.30
±
0.30
0.96
0.20
±
0.76
0.20
±
0.50
0.10
±
2
1 T1
2 T2
3 Gate
Features
I
T(RMS)
=2A
●
High Surge Current
●
Lead-Free Package
●
1
2
3
2.30
0.20
±
2.30
0.20
±
Identifying Code：
T2DQ6C
Unit：
mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
（
I
T RMS）
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t（for fusing）
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Mass
Tc＝134℃
Reference
Ratings
600
2
18
/
20
1.67
1.5
0.1
1
7
−40∼＋150
−40∼＋150
0.39
Unit
V
A
A
A
2
S
W
W
A
V
℃
℃
g
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
One cycle, 50Hz/60Hz, Peak value non-repetitive
I
GM
V
GM
Tj
Tstg
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
−
I
GT1
＋
I
GT3
−
I
GT3
＋
V
GT1
−
V
GT1
Item
Repetitive Peak Off-State Current
Peak On-State Voltage
1
2
3
4
1
2
3
4
Non-Trigger Gate Voltage
Critical Rate of Rise of Off-State
Voltage at Commutation
Reference
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝150℃
I
T
＝3A,
Inst. measurement
Ratings
Min.
Typ. Max.
1
1.6
5
5
10
5
1.5
1.5
2.0
1.5
Unit
mA
V
Gate Trigger Current
V
D
＝6V，R
L
＝10Ω
Gate Trigger Voltage
mA
V
GT3
−
V
GT3
＋
V
V
GD
〔dv
/
dt〕
c
I
H
Rth j-c）
（
Rth j-a）
（
Tj＝150℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝150℃，
/
dt〕
〔di
c＝−1A
/
ms，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
Junction to case
Junction to ambient
0.1
1
2
5.8
60
V
V
/
μs
mA
℃
/
W
℃
/
W
Holding Current
Thermal Resistance
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
（
＋
）
Mode
2
I
）
（
−
Mode
3 III
（
＋
）
Mode
4 III ）
（
−
TMG2DQ60C
１
０
Gate Characteristics
V
GM
（7V）
P
GM
（1.5W）
１０
０
On-State Characteristics MAX）
（
Ｔ= ５
½２ ℃
Ｔ= ５ ℃
½１ ０
P
G
（0.1W）
（AV）
25℃ 25℃
1
＋
GT１
1
＋
GT3
1
−
GT１
1
−
GT３
I
GM
（1A）
On-State Current A）
（
Gate Voltage
（V）
１
１
０
０１
．
１
V
GD
0.1V）
（
００
．
１
１
１
０
１０
０
１０
００
０１
.
０
０５
.
１
１５
.
２
２５
.
３
３.
５
４
４５
.
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
３
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
０
θ
π
θ
2π
1５
５
＝180゜
θ
θ
＝150゜
θ
＝120゜
θ
＝90゜
θ
＝60゜
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
Power Dissipation
（W）
２５
.
２
１５
.
１
０５
.
０
０
Allowable Temperature（℃）
１０
５
１５
４
θ
＝30゜
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
θ
＝30゜
１０
４
０
π θ
θ
３０
６゜
2π
θ
＝60゜
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
１５
３
θ Conduction Angle
：
０５
.
１
１５
.
２
１０
３
０
０５
．
１
１５
．
2
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current A）
（
Transient Thermal Impedance
（℃/W）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
Surge On-State Current A）
（
２
０
１０
０
Transient Thermal Impedance
Rth
（j−a）
１
５
60H
Z
１
０
50H
Z
１
０
Rth
（j−c）
５
０
１
１
０
１0
０
１
００
.１
０１
.
１
１
０
１０
０
１０ １００ １００
００ ００ ０００
Time
（Cycles）
Time
（Sec.）
I
GT
−Tj
（Typical）
１０
００
１０
００
V
GT
−Tj
（Typical）
I
GT
（t℃）
×100
（％）
I
GT
２ ℃）
（ ５
V
GT
（t℃）
×100
（％）
V
GT
２ ℃）
（ ５
１０
０
I
＋
GT１
!
＋
）
（
I
−
GT１
!
−
）
（
I
−
GT3
（#
−
）
１０
０
V
＋
GT1
（!
＋
）
V
−
GT1
（!
−
）
V
＋
GT3
（#
＋
）
V
−
GT3
（#
−
）
I
＋
GT３
#
＋
）
（
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
１
０
−０
５
−５
２
０
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
Junction Temp. Tj
（℃）
Junction Temp. Tj
（℃）
Renesas Electronics MCUs
京公网安备 11010802033920号
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