BYG20D ... BYG20M
BYG20D ... BYG20M
Ultrafast Avalanche SMD Rectifier Diodes
Ultrafast Avalanche SMD-Gleichrichterdioden
Version 2020-04-01
SMA
~ DO-214AC
5
± 0.2
2.2
± 0.2
2.1
± 0.2
I
FAV
= 1.5 A
V
F
< 1.4 V
t
rr
< 75 ns
V
RRM
= 200...600 V
I
FSM
= 27/30 A
E
RSM
= 20 mJ
Typical Applications
Rectification of higher frequencies
High speed switching
Bootstrap and Snubber diodes
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification
1
)
Features
Controlled avalanche characteristic
High average forward current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Bootstrap- und Beschaltungsdioden
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform
1
)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation
1
)
Besonderheiten
Controlled Avalanche Charakteristik
Hoher Dauergrenzstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
1.1
2.7
± 0.2
± 0.3
0.15
+ 0.1
RoHS
Type
Typ
1.5
±0.1
4.5
_
0.55
+0.30
7500 / 13“
0.07 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL = 1
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
2
)
Type
Typ
BYG20D
BYG20G
BYG20J
DC blocking voltage
Sperrgleichspannung
V
DC
[V]
3
)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
200
400
600
EL
V
Pb
EE
WE
Grenzwerte
2
)
Reverse avalanche breakdown voltage
Sperrspannung im Durchbruch
V
RSM
[V]
4
)
> 250
> 450
> 650
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing
Grenzlastintegral
Non-repetitive peak reverse avalanche energy
Einmalige Avalanche-Energie in Sperr-Richtung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
f > 15 Hz
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
T
T
= 100°C
T
T
= 100°C
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
t < 10 ms
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
E
RSM
T
j
T
S
1.5 A
5A
27 A
30 A
3.6 A
2
s
20 mJ
4
)
-50...+150°C
-50...+150°C
1
2
3
4
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
I
RSM
= 1 A, inductive load switch-off – I
RSM
= 1 A, Abschalten induktiver Last
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
BYG20D ... BYG20M
Characteristics
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 100°C
I
F
= 1 A
I
F
= 1.5 A
V
R
= V
RRM
V
F
I
R
t
rr
R
thA
R
thT
Kennwerte
< 1.3 V
< 1.4 V
< 1 µA
< 50 µA
< 75 ns
100 K/W
1
)
30 K/W
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A
Typ. thermal resistance junction-ambient − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Typ. thermal resistance junction-terminal − Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
120
[%]
100
80
60
40
20
I
FAV
0
0
T
T
50
100
150
[°C]
Rated forward current vs. temp. of the terminals
Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals
10
2
[µA]
10
1
25
[pF]
T
j
= 1 2 5 °C
20
T
j
= 1 0 0 °C
15
1
10
10
-1
I
R
10 0
-2
T
j
= 2 5 °C
5
C
j
V
RRM
40
60
80
100 [%]
0
V
R
[V]
Junction capacitance vs. reverse voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Sperrspg. (typ.)
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
京公网安备 11010802033920号
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