EEWORLDEEWORLDEEWORLD

Part Number

Search

BD808

Description
Plastic High Power Silicon PNP Transistor
CategoryDiscrete semiconductor    The transistor   
File Size58KB,5 Pages
ManufacturerON Semiconductor
Websitehttp://www.onsemi.cn
Download Datasheet Parametric View All

BD808 Overview

Plastic High Power Silicon PNP Transistor

BD808 Parametric

Parameter NameAttribute value
Is it Rohs certified?incompatible
MakerON Semiconductor
Parts packaging codeTO-220AB
package instructionPLASTIC, CASE 221A-06, 3 PIN
Contacts3
Manufacturer packaging codeCASE 221A-06
Reach Compliance Code_compli
ECCN codeEAR99
Shell connectionCOLLECTOR
Maximum collector current (IC)10 A
Collector-emitter maximum voltage60 V
ConfigurationSINGLE
Minimum DC current gain (hFE)15
JEDEC-95 codeTO-220AB
JESD-30 codeR-PSFM-T3
JESD-609 codee0
Number of components1
Number of terminals3
Maximum operating temperature150 °C
Package body materialPLASTIC/EPOXY
Package shapeRECTANGULAR
Package formFLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Celsius)235
Polarity/channel typePNP
Maximum power dissipation(Abs)90 W
Certification statusNot Qualified
surface mountNO
Terminal surfaceTin/Lead (Sn/Pb)
Terminal formTHROUGH-HOLE
Terminal locationSINGLE
Maximum time at peak reflow temperatureNOT SPECIFIED
transistor applicationsAMPLIFIER
Transistor component materialsSILICON
Nominal transition frequency (fT)1.5 MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ
Î
Î ÎÎ Î ÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
*Pulse Test: Pulse Width
x
300
µs,
Duty Cycle
x
2.0%.
h
FE
= 30 (Min) @ I
C
= 2.0 Adc
BD 808, 810 are complementary with BD 807, 890
DC Current Gain —
Plastic High Power Silicon
PNP Transistor
. . . designed for use in high power audio amplifiers utilizing
complementary or quasi complementary circuits.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25_C unless otherwise noted)
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
January, 2001 – Rev. 8
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
Current–Gain Bandwidth Product
(I
C
= 1.0 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
Base–Emitter On Voltage*
(I
C
= 4.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage*
(I
C
= 3.0 Adc, I
B
= 0.3 Adc)
DC Current Gain
(I
C
= 2.0 A, V
CE
= 2.0 V)
(I
C
= 4.0 A, V
CE
= 2.0 V)
Emitter Cutoff Current
(V
BE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current
(V
CB
= 70 Vdc, I
E
= 0)
(V
CB
= 80 Vdc, I
E
= 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage*
(I
C
= 0.1 Adc, I
B
= 0)
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Device Dissipation T
C
= 25_C
Derate above 25_C
Base Current
Collector Current
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Characteristic
Rating
Characteristic
Symbol
T
J
, T
stg
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
D
I
C
I
B
Symbol
θ
JC
BD808
BD810
BD808
BD810
Type
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(on)
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
1
–55 to +150
1.39
Max
Value
90
720
6.0
5.0
10
70
80
60
80
BD808
BD810
BD808
BD810
Watts
mW/_C
Type
_C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
_C
Min
1.5
30
15
60
80
*ON Semiconductor Preferred Device
10 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
60, 80 VOLTS
90 WATTS
Publication Order Number:
BD808/D
BD808
BD810 *
CASE 221A–06
TO–220AB
Max
1.6
1.1
2.0
1.0
1.0
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Question: In Windows Mobile 6, how do I obtain the properties of a media file and its associated information?
I am now troubled by this problem... Here I need to get the attribute information of various multimedia files (mp3, mp4, 3gp, etc.) on the mobile phone (or the simulator), such as their format informa...
chenjian3 Embedded System
Renesas R5F10268 burning problem
I can use Flash programmer's Autoprodure to burn the program (display the percentage and PASS results), but it does not run normally. However, I can use the development software (CS+) to download the ...
dirty Renesas Electronics MCUs
Questions about SD card
I am currently working on a project about SD cards. The specific requirements are: 1. Store useful data in the SD card through a PC 2. Read it out through a microcontroller Problems encountered: I don...
edward_liu Embedded System
The dark current of the low-power wake-up button of the vehicle TP exceeds the standard
Dear experts, I am working on car TP. Recently, a project has a screen-off wake-up function. A low-power button is specially designed to achieve this function. It is required that the current flowing ...
Arnorelax Automotive Electronics
ADS compiles a simple program and a strange problem occurs.
[free][/free]The syntax of .make in ADS seems to be correct. I don't know how to ask on Baidu. I can only post the picture... Why does this problem occur? I am very confused..? Please help me......
3108009356 ARM Technology

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

Robot
development
community

Index Files: 2075  2409  1081  2722  362  42  49  22  55  8 
Datasheet   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Room 1530, 15th Floor, Building B, No. 18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing Telephone: (010) 82350740 Postal Code: 100190
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号