Semiconductor
SHE124PGH / SHE124PGH-(B)
High Brightness LED Lamp
Features
•
Green Colored lens type
• φ5mm(T-13/4)
all plastic mold type
•
Viewing angles : 40˚
•
Super luminosity
Application
•
Traffic Signal
•
Massage Board
•
Variable message signs(VMS)
Outline Dimensions
STRAIGHT TYPE
5.0±
0.2
unit :
STOPPER TYPE
5.0±
0.2
mm
8.6±
0.2
0.8±
0.2
0.8±
0.2
8.6±
0.2
3.5±
0.5
0.5
25.0 MIN
0.5
25.0 MIN
1.0MIN
2.54NOM
2.54NOM
1.0MIN
1
2
5.8±
0.2
1
2
5.8±
0.2
KLE-3012-000
1
SHE124PGH / SHE124PGH-(B)
Absolute maximum ratings
Characteristic
Power Dissipation
Forward Current
*
1
Peak Forward Current
Reverse Voltage
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
P
D
I
F
I
FP
V
R
T
opr
T
stg
Ratings
155
40
65
4
-25∼85
-30∼100
Unit
mW
mA
mA
V
℃
℃
260℃ for 5 seconds
*
2
Soldering Temperature
T
sol
*1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms
*2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package
※
Recommend document
-. LED is very sensitive to ESD.
Electrical Characteristics
Characteristic
Forward Voltage
Symbol
V
F
I
V
Test Condition
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
I
F
= 20mA
V
R
=4V
I
F
= 20mA
Min
2.6
1760
-
-
-
-
Typ
3.4
3960
525
30
-
±15
Max
3.8
8910
-
-
10
-
Unit
V
mcd
nm
nm
UA
Deg
*
4
Luminous Intensity
Peak Wavelength
Spectrum Bandwidth
Reverse Current
*
3
Half Angle
λ
P
Δ
λ
I
R
θ
1/2
*3.
θ
1/2
is the off-axis angle where the luminous intensity is
1/2
the peak intensity
*4. Luminous Intensity Maximum tolerance for each Grade Classification limit is
±18%
*4. Luminous Intensity classification
S
T
U
V
1760~2640 2640~3960 3960~5940 5940~8910
KLE-3012-000
2
SHE124PGH / SHE124PGH-(B)
Characteristic Diagrams
Fig. 1 I
F
- V
F
Fig. 2 I
V
- I
F
Forward Current I
F
[mA]
Forward Voltage V
F
[V]
Luminous Intensity I
v
[mcd]
Forward
Current I
F
[mA]
Fig. 3 I
F
– Ta
Fig.4 Spectrum Distribution
Current I
F
[mA]
Forward
Ambient Temperature Ta [℃]
Relative Intensity [%]
Wavelength
λ
[nm]
Fig. 5 Radiation Diagram
100
50
0
50
100
Relative Luminous Intensity [%]
KLE-3012-000
3
■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항
1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 :
되어 있어
Chip 재질은 Al
2
o
3
(Sapphire: 절연체) 재질로
정전기에 취½한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면
제 특성을 발휘하지 못하며 또한 V
F
값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생
2. ESD 발생 원리 및 대치 방법
2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든
물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어
중성의 상태를 유지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에
의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고
(+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨.
※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등
※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등
※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등
2-2. 대전 방지 및 제거 방법
① 가습
-. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜
표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다.
상대 습도는 80%가 적당하다.
※ 습도에 따른 대전전위의 변화
대전물
상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%)
Table 작업을 행하는 ½우
6[KV]
0.1[KV]
비닐 포장 자재
7[KV]
0.6[KV]
폴리백을 작업대에서 손으로 드는 ½우
20[KV]
1.2[KV]
② 대전 방지제 사용
-. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가
시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려
③ 대전 방지용품 착용
-. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 :
Wrist Strap (손목 띠),
Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등
-. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는
제품 : Conductive Floor Mat
※ 현 제품 취급 시 주의 사항을
인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한
불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다.
KLE-3012-000
4
SHE124PGH / SHE124PGH-(B)
These AUK products are intended for usage in general electronic equipments(Office and
communication equipment, measuring equipment, domestic electrification, etc.).
Please make sure that you consult with us before you use these AUK products in equipm-
ents which require high quality and/or reliability, and in equipments which could have
major impact to the welfare of human life(atomic energy control, airplane, spaceship, traffic
signal, combustion central, all types of safety device, etc.).
AUK cannot accept liability to any damage which may occur in case these AUK products
were used in the mentioned equipments without prior consultation with AUK.
KLE-3012-000
5
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