SFH 303
SFH 303 FA
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 303
SFH 303 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 450 nm bis 1100 nm
(SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA)
q
Hohe Linearität
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Auch gegurtet und gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of
880 nm (SFH 303 FA)
q
High linearity
q
5 mm LED plastic package
q
Also available on tape and in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
1
07.96
feof6351
feo06351
SFH 303
SFH 303 FA
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 303
SFH 303-2
SFH 303-3
SFH 303-4
1)
1)
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P957
Q62702-P228
Q62702-P229
Q62702-P230
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 303 FA
(*SFH 303 F)
SFH 303 FA-2)
(*SFH 303 F)
SFH 303 FA-3
(*SFH 303 F-3)
SFH 303 FA-4
(*SFH 303 F-4
1)
)
Bestellnummer
Type (*formerly)
Q62702-P958
Q62702-P222
Q62702-P223
Q62702-P224
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
50
50
100
7
V
mA
mA
V
Semiconductor Group
2
SFH 303
SFH 303 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
200
375
Einheit
Unit
mW
K/W
P
tot
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Symbol
Symbol
SFH 303
λ
S max
λ
850
Wert
Value
SFH 303 FA
870
nm
Einheit
Unit
450 ... 1000 720 ... 1100 nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.2
0.65
×
0.65
4.0 ... 4.6
0.2
0.65
×
0.65
4.0 ... 4.6
mm
2
mm
×
mm
mm
ϕ
±
20
±
20
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
–
15.8
4.5
–
µA
µA
Semiconductor Group
3
SFH 303
SFH 303 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
SFH 303
Wert
Value
SFH 303 FA
Einheit
Unit
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
10
15
21
2 (≤ 50)
10
15
21
2 (≤ 50)
pF
pF
pF
nA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 303:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard
light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
1.0 ... 2.0
5.2
11
1.6 ... 3.2
8.4
13
≥
2.5
13.1
15
mA
mA
µs
V
CEsat
150
150
150
mV
I
PCE
I
PCB
330
530
830
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
4
SFH 303
SFH 303 FA
Relative spectral sensitivity, SFH 303
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity, SFH 303 FA
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Output characteristics
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Semiconductor Group
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
