SFH 300
SFH 300 FA
.
PN-Silizium-Fototransistor
N
Silicon NPN Phototransistor
SFH 300
SFH 300 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 420 nm bis 1130 nm (SFH 300)
und bei 880 nm (SFH 300 FA)
q
Hohe Linearität
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Computer-Blitzlichtgeräte
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Features
q
Especially suitable for applications from
420 nm to 1130 nm (SFH 300) and of
880 nm (SFH 300 FA)
q
High linearity
q
5 mm LED plastic package
q
Available in groups
Applications
q
Computer-controlled flashes
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Semiconductor Group
240
10.95
feof6652
feo06652
SFH 300
SFH 300 FA
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 300
(*BP 103 B)
SFH 300-2
(*BP 103 B-2)
SFH 300-3
(*BP 103 B-3)
SFH 300-4
1)
(*BP 103 B-4)
1)
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1189
Q62702-P85-S2
Q62702-P85-S3
Q62702-P85-S4
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
SFH 300 FA
(*BP 103 BF)
SFH 300 FA-2
(*BP 103 BF-2)
SFH 300 FA-3
(*BP 103 BF-3)
SFH 300 FA-4
(*BP 103 BF-4)
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1193
Q62702-P1192
Q62702-P1057
Q62702-P1058
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield.
In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Kollektorspannung
Emitter-collector voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EC
35
50
100
7
V
mA
mA
V
Semiconductor Group
241
SFH 300
SFH 300 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
200
375
Einheit
Unit
mW
K/W
P
tot
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Kapazität,
V
EC
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 35 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
SFH 300
λ
S max
λ
850
Wert
Value
SFH 300 FA
870
nm
Einheit
Unit
420 ... 1130 730 ... 1120 nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.12
0.5
×
0.5
4.1 ... 4.7
0.12
0.5
×
0.5
4.1 ... 4.7
mm
2
mm
×
mm
mm
ϕ
±
25
6.5
5 (≤ 100)
±
25
6.5
5 (≤ 100)
Grad
deg.
pF
nA
C
CE
I
CEO
Semiconductor Group
242
SFH 300
SFH 300 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
SFH 300:
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
1)
1)
Symbol
Symbol
-2
Wert
Value
-3
-4
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
t
r
,
t
f
0.63 ... 1.25
3.4
7.5
1 ... 2
5.4
10
≥
1.6
8.6
10
mA
mA
µs
V
CEsat
130
140
150
mV
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
243
SFH 300
SFH 300 FA
Relative spectral sensitivity,
SFH 300
S
rel
=
f
(λ)
Relative spectral sensitivity,
SFH 300 FA
S
rel
=
f
(λ)
Dark current
I
CEO
/I
CEO25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Semiconductor Group
244
京公网安备 11010802033920号
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