2013-07-16
Narrow beam LED in Mini MIDLED package (850 nm)
Engwinklige LED im Mini MIDLED-Gehäuse (850 nm)
Version 1.0
SFH 4451
Features:
•
•
•
•
Highly Efficient Infrared LED
Short switching times
Narrow halfangle (+-17°)
Low profile component
•
•
•
•
Besondere Merkmale:
Infrarot LED mit hoher Effizienz
Kurze Schaltzeiten
Enger Abstrahlwinkel (+-17°)
Geringe Bauhöhe
Applications
•
•
•
•
Sensor technology
For control and drive circuits
Proximity sensor
Mobile devices
•
•
•
•
Anwendungen
Sensorik
„Messen/Steuern/Regeln”
Näherungssensor
Mobile Geräte
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
ATTENTION -Observe Precautions For Handling
-Electrostatic Sensitive Device
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
ATTENTION -Observe Precautions For Handling
-Electrostatic Sensitive Device
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Version 1.0
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
SFH 4451
Note:
Anm.:
SFH 4451
Ordering Code
Bestellnummer
70 (≥ 25)
Q65111A2583
Measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
= 300
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
Electrostatic discharge (HBM)
Elektrostatische Entladung (HBM)
(Human Body Model according to ANSI / ESDA /
JEDEC JS-001-2011; Class 2)
Thermal resistance junction - ambient
1)
page 12
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1)
Seite 12
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 85
5
100
1
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
ESD
180
2
mW
kV
R
thJA
400
K/W
2)
page 12
Thermal resistance junction - soldering point
R
thJS
200
K/W
Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle
2)
Seite 12
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Version 1.0
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 100 mA, R
L
= 50
Ω)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 1 A, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
860
SFH 4451
Unit
Einheit
nm
λ
centroid
850
nm
Δλ
30
nm
ϕ
A
LxW
t
r
, t
f
± 17
0.09
0.3 x 0.3
12
°
mm
2
mm x
mm
ns
V
F
1.5 (≤ 1.8)
V
V
F
2.4 (≤ 3)
V
I
R
not designed for µA
reverse operation
55
mW
Φ
e
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Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
e, min
[mW / sr]
SFH 4451-T
SFH 4451-U
SFH 4451-V
Note:
Anm.:
SFH 4451
Symbol
Symbol
TC
I
Values
Werte
-0.5
Unit
Einheit
%/K
TC
V
-0.7
mV / K
TC
λ
0.3
nm / K
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
e, max
[mW / sr]
50
80
125
Typ Radiant Intensity
Typ Strahlstärke
I
e, typ
[mW / sr]
300
480
750
I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms I
F
= 100 mA, t
p
= 20 ms I
F
= 1 A, t
p
= 25 µs
25
40
63
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
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Version 1.0
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
I
rel
= f (λ ), T
A
= 25 °C
100
%
80
OHF04132
SFH 4451
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25 µs,
T
A
= 25°C
10
1
OHL01715
I
rel
I
e
I
e (100 mA)
10
0
60
5
10
-1
40
5
20
10
-2
5
0
700
750
800
850
nm 950
λ
10
-3 0
10
5 10
1
5 10
2
mA 10
3
I
F
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5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
