Symbol MULTILED
®
5 mm (T1
3
/
4
), Partly Diffused
LU H371
Besondere Merkmale
q
nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse
q
Lötspieße im 2.54 mm Raster
q
Hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
q
q
q
q
q
von grün zu gelb und orange nach superrot
geeignet für Multiplex- und Impulsbetrieb
beide Grundfarben grün und rot getrennt ansteuerbar
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
partly diffused, colorless package
q
2.54 mm lead spacing
q
high signal efficiency by color change of the LED from
q
q
q
q
q
green to yellow and orange to superred
ideal for multiplexed or pulsed operations
both colors can be controlled separately
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
1.0 ... 8.0
1.6 ...12.5
Bestellnummer
Ordering Code
Typ
Type
LU H371-FJ
LU H371-GK
super-red / green
super-red / green
colorless clear
partly diffused
Q62703-Q2050
Q62703-Q2051
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
Streuung der Lichtstärke in einer LED
I
V max
/
I
V min
≤
4.0 (LU H371-FJ),
≤
2.0 (LU H371-GK).
1)
Bei MULTILED
®
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
1)
Luminous intensity ratio in one LED
I
V max
/
I
V min
≤
4.0 (LU H371-FJ),
≤
2.0 (LU H371-GK).
1)
In case of MULTILED
®
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06728
LU H371
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25˚C
Wärmewiderstand
Thermal resistence
Sperrschicht / Luft
Junction / air
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55... + 100
– 55... + 100
+ 100
40
1)
0.5
1)
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
P
tot
140
1)
mW
R
th JA
400
K/W
Bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebene
Grenze nicht überschreiten.
With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceed
the specified limits.
Semiconductor Group
2
LU H371
Kennwerte
(
T
A
= 25˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
=20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
=20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
I
F
=20 mA
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
=10 mA
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10% to 90%
I
V
from 90% to 10%
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
µs,
R
L
= 50
(typ.)
(max.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
(typ.)
Symbol
Symbol
super-red
Werte
Values
green
565
nm
635
Einheit
Unit
λ
peak
λ
dom
628
570
nm
∆
λ
45
25
nm
2ϕ
100
2.0
2.6
12
100
2.0
2.6
15
Grad
deg.
V
V
pF
V
F
V
F
C
O
(typ.)
(typ.)
t
r
t
f
300
50
450
200
ns
ns
Semiconductor Group
3
LU H371
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25˚C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharacteristic
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LU H371
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
Embedded System
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
