GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)
SFH 484
SFH 485
Area not flat
0.6
0.4
2.54 mm
spacing
0.8
0.5
9.0
8.2
7.8
7.5
Cathode
5.9
5.5
ø5.1
ø4.8
Chip position
GEX06271
Approx. weight 0.5 g
Area not flat
0.6
0.4
2.54 mm
spacing
0.8
0.5
9.0
8.2
7.8
7.5
Cathode
5.9
5.5
ø5.1
ø4.8
1.5
29
27
4.8
4.2
Chip position
0.6
0.4
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
q
SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274
q
SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
q
Fabricated in a liquid phase epitaxy process
q
High reliability
q
Spectral match with silicon photodetectors
q
SFH 484: Same package as LD 274
q
SFH 485: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control for steady and varying
intensity
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06305
GEX06305
fex06271
1.8
1.2
29
27
5.7
5.1
0.6
0.4
SFH 484
SFH 485
Typ
Type
SFH 484
SFH 484-1
SFH 484-2
SFH 485
SFH 485-2
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q1092
Q62703-Q1755
Q62703-Q1756
Q62703-Q1093
Q62703-Q1547
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), klares violettes Epoxy-
Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), violet-colored epoxy res-
in, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), anode
marking: short lead
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
200
375
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
rel
Spectral bandwidth at 50 % of
I
rel
I
F
= 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 484
SFH 485
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 484
SFH 485
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
880
Einheit
Unit
nm
∆λ
80
nm
ϕ
ϕ
±
8
±
20
0.16
0.4
×
0.4
Grad
deg.
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
H
t
r
,
t
f
5.1 ... 5.7
4.2 ... 4.8
0.6/0.5
mm
mm
µs
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.50
(≤
1.8)
3.00
(≤
3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
µA
Φ
e
25
mW
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 0.5
Einheit
Unit
%/K
TC
I
TC
V
TC
λ
–2
0.25
mV/K
nm/K
Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.001 sr bei SFH 484 bzw.
Ω
= 0.01 sr bei SFH 485
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.001 sr at SFH 484 or
Ω
= 0.01 sr at SFH 485
Bezeichnung
Description
Symbol
SFH
484
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
I
e min
I
e max
50
160
SFH
484-1
50
100
Wert
Value
SFH
484-2
> 80
–
SFH
485
16
80
SFH
485-2
> 25
–
mW/sr
mW/sr
Einheit
Unit
I
e typ.
800
700
900
300
340
mW/sr
Radiation characteristics, SFH 484
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
ϕ
10
0
1.0
OHR01891
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 484
SFH 485
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
Ι
rel
%
80
OHR00877
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Radiant intensity
10
2
Ι
e
Ι
e (100mA)
10
1
OHR00878
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
125
OHR00880
Ι
F
mA
100
60
10
0
75
40
10
-1
50
20
10
-2
25
0
750
10
-3
800
850
900
950 nm 1000
λ
10
0
10
1
10
2
10
3
mA 10
4
Ι
F
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
Forward current
I
F
=
f
(V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
OHR00881
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
A
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
mA
OHR00886
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board
I
F
=
f
(
I
),
T
A
= 25
°C
120
mA
OHR00949
Ι
F
A
Ι
F
10
0
10
3
0.1
0.2
D
= 0.005
0.01
0.02
0.05
Ι
F
100
80
10
-1
0.5
10
2
DC
60
40
10
-2
t
p
D
=
T
10
-3
t
p
Ι
F
20
0
1
2
3
4
5
6
V
V
F
8
T
10
1 -5
10 10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
0
10
1
s 10
2
t
p
0
5
10
15
20
25 mm 30
Radiation characteristics, SFH 485
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
0
1.0
OHR01892
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
