Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Neu: in SMT und als Reverse Gullwing
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
New: in SMT and as Reverse Gullwing
5.4
4.9
4.5
4.3
BPW 34 FA
BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
feo06075
0.6
0.4
1.2
0.7
0.8
0.6
Cathode marking
4.0
3.7
Chip position
0.6
0.4
0.8
0.6
0.5
0.3
0.35
0.2
0.6
0.4
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
GEO06643
3.5
3.0
0.6
0.4
2.2
1.9
BPW 34 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für den Wellenlängen-
bereich von 830 nm bis 880 nm
q
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
q
DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
q
BPW 34 FAS/(E9087): geeignet für
Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Gerätefernsteuerung
q
Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
1.8
1.4
Approx. weight 0.1 g
Features
q
Especially suitable for the wavelength range
of 830 nm to 880 nm
q
Short switching time (typ. 20 ns)
q
DIL plastic package with high packing
density
q
BPW 34 FAS/(E9087): Suitable for
vapor-phase and IR-reflow soldering
Applications
q
IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, remote controls of various
equipment
q
Photointerrupters
Semiconductor Group
1
1998-08-27
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 85
32
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
T
op
;
T
stg
V
R
P
tot
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Symbol
Symbol
Wert
Value
50 (≥ 40)
Einheit
Unit
µA
S
λ
S max
λ
880
730 ... 1100
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
ϕ
7.00
2.65
×
2.65
mm
2
mm
×
mm
±
60
2 (≤ 30)
0.65
0.93
320 (≥ 250)
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
mV
I
R
S
λ
η
V
O
Semiconductor Group
3
1998-08-27
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 870 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Description
Kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V,
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
23
20
Einheit
Unit
µA
ns
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
– 2.6
0.03
3.9
×
10
– 14
V
pF
mV/K
%/K
W
√Hz
cm ·
√Hz
W
D*
6.8
×
10
12
Semiconductor Group
4
1998-08-27
MEMS sensors
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
