BPY 62
NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
BPY 62
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Features
q
Especially suitable for applications from
Bereich von 420 nm bis 1130 nm
q
Hohe Linearität
q
Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)
mit Basisanschluβ, geeignet bis 125
°C
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
420 nm to 1130 nm
q
High linearity
q
Hermetically sealed metal package (TO-18)
with base connection suitable up to 125
°C
q
Available in groups
Applications
q
Photointerrupters
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
Typ
Type
BPY 62
BPY 62-2
BPY 62-3
BPY 62-4
BPY 62-5
1)
1)
1)
Bestellnummer
Ordering Code
Q60215-Y62
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q62702-P1113
Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden.
Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor.
Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we
will reserve us the right of delivering a substitute group.
Semiconductor Group
238
10.95
fmof6019
BPY 62
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 125
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
50
100
200
7
200
500
V
mA
mA
V
mW
K/W
Semiconductor Group
239
BPY 62
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10 % von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10 % of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 35 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
850
420 ... 1130
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.12
0.5
×
0.5
2.4 ... 3.0
mm
2
mm
×
mm
mm
ϕ
±
8
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
4.5
17
µA
µA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
8
11
19
5 (≤ 100)
pF
pF
pF
nA
Semiconductor Group
240
BPY 62
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
Bezeichnung
Description
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light
A,
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
-5
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
0.5 ... 1.0 0.8 ... 1.6 1.25 ... 2.5
≥
2.0 mA
3.0
4.6
7.2
11.4 mA
t
r
,
t
f
5
7
9
12
µs
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
V
CEsat
Collector-emitter saturation voltage
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
150
150
160
180
mV
I
PCE
I
PCB
170
270
420
670
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group
Semiconductor Group
241
BPY 62
Relative spectral sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(E
e
),
V
CE
= 5 V
Total power dissipation
P
tot
=
f
(T
A
)
Output characteristics
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
= Parameter
Output characteristics
I
C
=
f
(V
CE
),
I
B
= Parameter
Dark current
I
CEO
=
f
(V
CE
),
E
= 0
Photocurrent
I
PCE
/I
PCE25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 5 V
Dark current
I
CEO
/I
CEO25
o
=
f
(T
A
),
V
CE
= 25 V,
E
= 0
Collector-emitter capacitance
C
CE
=
f
(V
CE
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Semiconductor Group
242
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
