SOT-23 LED, Diffused
LS S260, LY S260, LG S260
Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
eingefärbtes, diffuses
SOT-23-Gehäuse
•
Besonderheit des Bauteils:
kleine Bauform
im Industriestandard 3,0 x 2,6 x 1,1 mm
•
Wellenlänge:
628 nm (super-rot),
590 nm (gelb), 570 nm (grün)
•
Abstrahlwinkel:
140°
•
Technologie:
GaAlP
•
optischer Wirkungsgrad:
1,5 lm/W (super-rot, gelb), 2,5 lm/W (grün)
•
Gruppierungsparameter:
Lichtstärke
•
Verarbeitungsmethode:
für alle
SMT-Bestücktechniken geeignet
•
Lötmethode:
IR Reflow Löten
•
Vorbehandlung:
nach JEDEC Level 2
•
Gurtung:
8-mm Gurt mit 3000/Rolle, ø180 mm
oder 12000/Rolle, ø330 mm
Anwendungen
• optischer Indikator
• Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter,
Tasten, Displays, Werbebeleuchtung,
Allgemeinbeleuchtung
Features
•
package:
colored, diffused SOT-23 package
•
feature of the device:
small package in
industry standard 3.0 x 2.6 x 1.1 mm
•
wavelength:
628 nm (super-red),
590 nm (yellow), 570 nm (green)
•
viewing angle:
140°
•
technology:
GaAlP
•
optical efficiency:
1.5 lm/W (super-red,
yellow), 2.5 lm/W (green)
•
grouping parameter:
luminous intensity
•
assembly methods:
suitable for all
SMT assembly methods
•
soldering methods:
IR reflow soldering
•
preconditioning:
acc. to JEDEC Level 2
•
taping:
8-mm tape with 3000/reel, ø180 mm or
12000/reel, ø330 mm
Applications
• optical indicators
• backlighting (LCD, cellular phones, switches,
keys, displays, illuminated advertising, general
lighting optical indicators
2000-03-01
1
OPTO SEMICONDUCTORS
LS S260, LY S260, LG S260
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µ
s,
D
= 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Leistungsaufnahme
Power dissipation
T
A
≤
25 °C
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
30
0.5
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
5
95
V
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
R
th JA
Sperrschicht/Umgebung
Junction/ambient
R
th JS
Sperrschicht/Lötpad
Junction/solder point
Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board FR 4 (pad size
≥
16 mm
2
)
Minimale Beinchenlänge
Minimum lead length
750
350
K/W
K/W
2000-03-01
3
OPTO SEMICONDUCTORS
LS S260, LY S260, LG S260
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Vewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
Temperature coefficient of
λ
peak
I
F
= 10 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
Temperature coefficient of
λ
dom
I
F
= 10 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
Temperature coefficient of
V
F
I
F
= 10 mA
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
I
F
= 10 mA
(typ.)
Symbol
Symbol
LS
Wert
Value
LY
586
LG
565
nm
635
Einheit
Unit
λ
peak
λ
dom
∆λ
(typ.)
628
590
570
nm
(typ.)
45
45
25
nm
(typ.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
2
ϕ
140
2.0
2.6
0.01
10
0.11
140
2.0
2.6
0.01
10
0.10
140
2.0
2.6
0.01
10
0.11
Grad
deg.
V
V
V
F
V
F
I
R
I
R
TC
λpeak
µ
A
µ
A
nm/K
(typ.)
TC
λdom
0.07
0.07
0.07
nm/K
(typ.)
TC
V
η
opt
– 1.9
– 1.9
– 1.4
mV/K
(typ.)
1.5
1.5
2.5
lm/W
2000-03-01
4
OPTO SEMICONDUCTORS
LS S260, LY S260, LG S260
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 °C,
I
F
= 10 mA
Relative Spectral Emission
V(
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
%
OHL01210
I
rel
80
V
λ
60
20
0
400
450
500
550
yellow
green
40
600
super-red
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(
ϕ
)
Radiation Characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
1.0
OHL01693
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
0
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
5
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
2000-03-01
OPTO SEMICONDUCTORS
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
