BUB323Z
NPN Silicon Power
Darlington
High Voltage Autoprotected
D
2
PAK for Surface Mount
The BUB323Z is a planar, monolithic, high–voltage power
Darlington with a built–in active zener clamping circuit. This device is
specifically designed for unclamped, inductive applications such as
Electronic Ignition, Switching Regulators and Motor Control, and
exhibit the following main features:
http://onsemi.com
•
Integrated High–Voltage Active Clamp
•
Tight Clamping Voltage Window (350 V to 450 V) Guaranteed
Over the –40°C to +125°C Temperature Range
•
Clamping Energy Capability 100% Tested in a Live
Ignition Circuit
•
High DC Current Gain/Low Saturation Voltages
Specified Over Full Temperature Range
•
Design Guarantees Operation in SOA at All Times
MAXIMUM RATINGS
AUTOPROTECTED
DARLINGTON
10 AMPERES
360–450 VOLTS CLAMP
150 WATTS
360 V
CLAMP
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î
Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎ Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Collector–Emitter Voltage
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
I
CM
I
BM
P
D
350
6.0
10
20
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Collector Current – Continuous
– Peak
Base Current
– Continuous
– Peak
3.0
6.0
Total Power Dissipation
@ T
C
= 25_C
Derate above 25_C
150
1.0
Watts
W/_C
_C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
T
J
, T
stg
–65 to
+175
Rating
Symbol
Value
Unit
MARKING DIAGRAM
BUB323Z
YWW
D
2
PAK
CASE 418B
STYLE 1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
R
θJC
R
θJA
T
L
Max
1.0
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
_C/W
_C/W
_C
BUB323Z = Specific Device Code
Y
= Year
WW
= Work Week
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Maximum Lead Temperature
for Soldering Purposes,
1/8″ from Case for 5 Seconds
62.5
260
ORDERING INFORMATION
Device
BUB323Z
BUB323ZT4
Package
D
2
PAK
D
2
PAK
Shipping
50 Units/Rail
800/Tape & Reel
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
September, 2001 – Rev. 0
Publication Order Number:
BUB323Z/D
Î Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1. Pulse Test: Pulse Width
≤
300
µs,
Duty Cycle = 2.0%.
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load
(L = 10 mH)
CLAMPING ENERGY (see notes)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
(Note 1.)
OFF CHARACTERISTICS
(Note 1.)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25_C unless otherwise noted)
Cross–over Time
Storage Time
Fall Time
Repetitive Non–Destructive Energy Dissipated at turn–off:
(I
C
= 7.0 A, L = 8.0 mH, R
BE
= 100
Ω)
(see Figures 2 and 4)
Input Capacitance
(V
EB
= 6.0 V)
Output Capacitance
(V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
Current Gain Bandwidth
(I
C
= 0.2 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
DC Current Gain
(I
C
= 6.5 Adc, V
CE
= 1.5 Vdc)
(I
C
= 5.0 Adc, V
CE
= 4.6 Vdc)
Diode Forward Voltage Drop
(I
F
= 10 Adc)
Base–Emitter On Voltage
(I
C
= 5.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
(I
C
= 8.0 Adc, V
CE
= 2.0 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 7.0 Adc, I
B
= 70 mAdc)
Base–Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 8.0 Adc, I
B
= 100 mAdc)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 0.25 Adc)
Emitter–Base Leakage Current
(V
EB
= 6.0 Vdc, I
C
= 0)
Collector–Emitter Cutoff Current
(V
CE
= 200 V, I
B
= 0)
Collector–Emitter Clamping Voltage (I
C
= 7.0 A)
(T
C
= –40°C to +125°C)
(I
C
= 10 Adc, I
B
= 0.25 Adc)
(I
C
= 8.0 Adc, I
B
= 0.1 Adc)
Characteristic
(I
C
= 6.5 A, I
B1
= 45 mA,
V
BE(off)
= 0, R
BE(off)
= 0,
V
CC
= 14 V V
Z
= 300 V)
V,
(T
C
= –40°C to +125°C)
(T
C
= –40°C to +125°C)
http://onsemi.com
BUB323Z
(T
C
= 125°C)
(T
C
= 125°C)
2
W
CLAMP
Symbol
V
CLAMP
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
I
CEO
I
EBO
C
ob
h
FE
C
ib
V
F
t
si
f
T
t
fi
t
c
Min
200
150
500
350
1.1
1.3
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Typ
625
1.7
10
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
3400
Max
550
200
100
450
2.0
2.5
2.1
2.3
1.6
1.8
1.8
2.1
1.7
2.2
2.5
30
50
–
–
–
mAdc
µAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
mJ
pF
pF
µs
µs
ns
–
BUB323Z
I
C
I
NOM
= 6.5 A
Output transistor turns on: I
C
= 40 mA
MERCURY CONTACTS
WETTED RELAY
L INDUCTANCE
(8 mH)
V
CE
MONITOR
(V
GATE
)
I
C
CURRENT
SOURCE
High Voltage Circuit turns on: I
C
= 20 mA
Avalanche diode turns on: I
C
= 100
µA
V
CE
V
CLAMP
NOMINAL
= 400 V
R
BE
= 100
Ω
I
B
CURRENT
SOURCE
V
BEoff
I
B2
SOURCE
I
C
MONITOR
0.1
Ω
NON
INDUCTIVE
250 V
Icer Leakage Current
300 V
340 V
Figure 1. I
C
= f(V
CE
) Curve Shape
Figure 2. Basic Energy Test Circuit
By design, the BU323Z has a built–in avalanche diode and
a special high voltage driving circuit. During an
auto–protect cycle, the transistor is turned on again as soon
as a voltage, determined by the zener threshold and the
network, is reached. This prevents the transistor from going
into a Reverse Bias Operating limit condition. Therefore, the
device will have an extended safe operating area and will
always appear to be in “FBSOA.” Because of the built–in
zener and associated network, the I
C
= f(V
CE
) curve exhibits
an unfamiliar shape compared to standard products as
shown in Figure 1. .
The bias parameters, V
CLAMP
, I
B1
, V
BE(off)
, I
B2
, I
C
, and
the inductance, are applied according to the Device Under
Test (DUT) specifications. V
CE
and I
C
are monitored by the
test system while making sure the load line remains within
the limits as described in Figure 4. .
Note: All BU323Z ignition devices are 100% energy
tested, per the test circuit and criteria described in Figures 2.
and 4. , to the minimum guaranteed repetitive energy, as
specified in the device parameter section. The device can
sustain this energy on a repetitive basis without degrading
any of the specified electrical characteristics of the devices.
The units under test are kept functional during the complete
test sequence for the test conditions described:
I
C(peak)
= 7.0 A, I
C
H = 5.0 A, I
C
L = 100 mA, I
B
= 100 mA,
R
BE
= 100
Ω,
V
gate
= 280 V, L = 8.0 mH
10
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
T
C
= 25°C
10 ms
250 ms
0.1
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT
CURVES APPLY BELOW
RATED V
CEO
1 ms
300
µs
1
0.01
0.001
10
100
340 V
V
CE
, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1000
Figure 3. Forward Bias Safe Operating Area
http://onsemi.com
3
BUB323Z
I
C
I
CPEAK
I
C
HIGH
I
C
LOW
V
CE
The shaded area represents the amount of energy the de-
vice can sustain, under given DC biases (I
C
/I
B
/V
BE(off)
/
R
BE
), without an external clamp; see the test schematic dia-
gram, Figure 2. .
The transistor PASSES the Energy test if, for the inductive
load and I
CPEAK
/I
B
/V
BE(off)
biases, the V
CE
remains outside
the shaded area and greater than the V
GATE
minimum limit,
Figure 4. a.
(a)
I
C
I
CPEAK
V
GATE
MIN
I
C
HIGH
I
C
LOW
V
CE
(b)
I
C
I
CPEAK
V
GATE
MIN
I
C
HIGH
The transistor FAILS if the V
CE
is less than the V
GATE
(minimum limit) at any point along the V
CE
/I
C
curve as
shown on Figures 4. b, and 4. c. This assures that hot spots
and uncontrolled avalanche are not being generated in the
die, and the transistor is not damaged, thus enabling the sus-
tained energy level required.
I
C
LOW
V
CE
(c)
I
C
I
CPEAK
V
GATE
MIN
I
C
HIGH
The transistor FAILS if its Collector/Emitter breakdown
voltage is less than the V
GATE
value, Figure 4. d.
I
C
LOW
V
CE
(d)
V
GATE
MIN
Figure 4. Energy Test Criteria for BU323Z
http://onsemi.com
4
BUB323Z
10000
T
J
= 125°C
1000
-40°C
100
25°C
10000
TYPICAL
hFE, DC CURRENT GAIN
hFE, DC CURRENT GAIN
1000
TYP - 6Σ
TYP + 6Σ
100
V
CE
= 5 V, T
J
= 25°C
10000
10
100
10000
1000
I
C
, COLLECTOR CURRENT (MILLIAMPS)
100000
10
100
V
CE
= 1.5 V
1000
I
C
, COLLECTOR CURRENT (MILLIAMPS)
Figure 5. DC Current Gain
Figure 6. DC Current Gain
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
10
I
B
, BASE CURRENT (MILLIAMPS)
100
7A
5A
8A
10 A
I
C
= 3 A
T
J
= 25°C
VCE , COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.1
25°C
I
C
/I
B
= 150
T
J
= 125°C
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 7. Collector Saturation Region
Figure 8. Collector–Emitter Saturation Voltage
VBE(on) , BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.1
125°C
I
C
/I
B
= 150
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.1
V
CE
= 2 VOLTS
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
125°C
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
Figure 9. Base–Emitter Saturation Voltage
Figure 10. Base–Emitter “ON” Voltages
http://onsemi.com
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
