NTE5576 & NTE5578
Silicon Controlled Rectifier
Absolute Maximum Ratings:
(T
J
= +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, V
DRM
& V
RRM
NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, V
DSM
NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V
RSM
NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Average On–State Current (Half Sine Wave, T
C
= +90°C), I
T(AV)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110A
RMS On–State Current, I
(RMS)
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A
Continuous On–State Current, I
T
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A
Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), I
TSM
60% V
RRM
reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2450A
V
R
≤
10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2695A
Maximum I
2
t for Fusing (V
R
≤
10V), I
2
t
10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36300A
2
sec
10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27000A
2
sec
Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), I
FGM
. . . . . . . . . . . . . . 19A
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), V
FGM
. . . . . . . . . . . . . . 18V
Peak Reverse Gate Voltage, V
RGM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Average Gate Power, P
G
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Peak Gate Power (100µs Pulse Width), P
GM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% V
DRM
, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
Rate of Rise of ON–State Current, di/dt
(Gate Drive 20V, 20Ω, with t
r
≤
1µs, Anode Voltage
≤
80% V
DRM
)
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs
Electrical Characteristics:
(Maximum values @ T
J
= +125°C unless otherwise specified)
Peak On–State Voltage (I
TM
= 377A), V
TM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.57V
Forward Conduction Threshold Voltage, V
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V
Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.79mΩ
Repetitive Peak Off–State Current (At V
DRM
), I
DRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Repetitive Peak Reverse Current (At V
RRM
), I
RRM
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (V
A
= 6V, I
A
= 2A, T
J
= +25°C), I
GT
. . 150mA
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (V
A
= 6V, I
A
= 2A, T
J
= +25°C), V
GT
. . . . . 3V
Maximum Holding (V
A
= 6V, I
A
= 2A, T
J
= +25°C), I
H
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, V
GD
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V
Electrical Characteristics (Cont’d):
(Maximum values @ T
J
= +125°C unless otherwise specified)
Operating Temperature Range, T
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, T
stg
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case (V
F
= Max Rating), R
tnJC
DC and 180° Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.23°C/W
120° Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.28°C/W
Thermal Resistance, Case–to–Heat Sink, R
thC–HS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.08°C/W
1.227 (31.18) Max
(Across Corners)
Cathode
.280 (7.11)
Dia Max
Gate
(White)
6.260
(159.0)
Max
(Terminal 3)
7.500
Cathode
(190.5)
(Red)
Max
(Terminals 1 & 2)
1.031 (26.18)
Dia Max
Seating Plane
.827
(27.0)
Max
ÇÇ
ÇÇ
ÇÇ
.875 (22.22) Dia
(Ceramic)
For No. 6 Screw
2.500
(63.5)
Max
.500 (12.7) Max)
1/2–20 UNF
Anode
京公网安备 11010802033920号
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