datasheet
EEWORLDEEWORLDEEWORLD
Datasheet
Part Number

Keyword

Search
Keyword

Part Number

Search
Datasheet> All Categories > Discrete semiconductor> The transistor> MJ10012
PDF
Preview

MJ10012

Description
10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
CategoryDiscrete semiconductor    The transistor   
File Size97KB，6 Pages
ManufacturerMotorola ( NXP )
Websitehttps://www.nxp.com
Download Datasheet Parametric View All

MJ10012 Overview

10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3

MJ10012 Parametric

Parameter NameAttribute value
Is it Rohs certified?incompatible
MakerMotorola ( NXP )
package instructionFLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknow
Shell connectionCOLLECTOR
Maximum collector current (IC)10 A
Collector-based maximum capacity350 pF
Collector-emitter maximum voltage400 V
ConfigurationDARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
Minimum DC current gain (hFE)20
JEDEC-95 codeTO-204AA
JESD-30 codeO-MBFM-P2
JESD-609 codee0
Number of components1
Number of terminals2
Maximum operating temperature200 °C
Package body materialMETAL
Package shapeROUND
Package formFLANGE MOUNT
Polarity/channel typeNPN
Maximum power consumption environment175 W
Certification statusNot Qualified
surface mountNO
Terminal surfaceTin/Lead (Sn/Pb)
Terminal formPIN/PEG
Terminal locationBOTTOM
transistor applicationsSWITCHING
Transistor component materialsSILICON
Maximum off time (toff)30000 ns
VCEsat-Max2.5 V

Preview

Download Datasheet
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎ Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle
©
Motorola, Inc. 1995
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
NPN Silicon Power Darlington
Transistor
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 400 Vdc (Min)
•
175 Watts Capability at 50 Volts
•
Automotive Functional Tests
The MJ10012 and MJH10012 are high–voltage, high–current Darlington transistors
designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications.
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
REV 2
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes: 1/8″ from
Case for 5 Seconds
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction
Temperature Range
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
@ TC = 100
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
— Peak (1)
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
(RBE = 27
Ω)
Collector–Emitter Voltage
Characteristic
Rating
Symbol
Symbol
TJ, Tstg
VCBO
VCEO
VEBO
VCER
R
θJC
PD
TL
IC
IB
v
10%.
– 65 to + 200
MJ10012
BASE
275
175
100
1.0
1.0
Max
600
550
400
2.0
8.0
10
15
– 55 to + 150
MJH10012
≈
1k
118
47.5
1.05
0.95
275
COLLECTOR
≈
30
EMITTER
Watts
Watts
W/
_
C
_
C/W
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
_
C
_
C
MJ10012
MJH10012
10 AMPERE
POWER TRANSISTORS
DARLINGTON NPN
SILICON
400 VOLTS
175 AND 118 WATTS
CASE 340D–01
TO–218 TYPE
MJH10012
Order this document
by MJ10012/D
CASE 1–07
TO–204AA
(TO–3)
MJ10012
1

Recommended Resources

FM24C256 interface circuit

Addition circuit

XJ01-14 to 20 type auto-coupling step-down starter circuit

STK4172 II power amplifier circuit diagram

AC voltage regulator circuit

TDA3047 (TV) infrared remote control receiving circuit

Shortcut:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

Popular Components

  1. D4NL-4DFG-B
  2. 9C08052A3M3FKPFT
  3. FW-15-05-G-D-600-070-A
  4. 1F11048C-P6320M-AN
  5. 68689-915HLF
  6. 667-185-Z1-T504-6
  7. SX50M120A5F5815
  8. GUS-QSCALF-0163R4-CD
  9. 5KP15CA_B0_00001
  10. P6KE200A_B0_10001
  11. A2502H-3P-BK
  12. A2549HD-8P

Popular Articles

  1. Use of Freescale CodeWarrior compiler
  2. ZDS2022 Oscilloscope 100 Practical Specials 28: How to measure two-channel waveform parameters
  3. ZDS2022 Oscilloscope 100 Practical Videos 60: HDQ Protocol Trigger
  4. Arm enters the automotive field, the first generation of open source cloud framework is now available for download
  5. Is it normal that the waveform has a shadow area around the brighter curve in the middle?
  6. Toyota to launch new Arene operating system within five years
  7. Sony shows off next-generation VR headset prototype: supports 8K resolution, low latency
  8. ATmega88 EEPROM Data Memory
  9. How to install domestic autonomous driving chips in cars?
  10. Why are more and more flagship phones adopting family designs?

Technical ResourceMore

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

Robot
development
community

About Us Customer Service Contact Information Datasheet Sitemap LatestNews
Index Files: 1736  737  960  1662  401  35  15  20  34  9 
Datasheet   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Room 1530, 15th Floor, Building B, No. 18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing Telephone: (010) 82350740 Postal Code: 100190
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号