FE1A ... FE1G
FE1A ... FE1G
Superfast Switching Silicon-Rectifiers
Superschnelle Silizium-Gleichrichter
Version 2005-11-08
Nominal current
Nennstrom
Ø3
±0.05
1A
50...400 V
DO-15
(DO-204AC)
0.4 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
62.5
±0.5
Type
Ø 0.8
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
FE1A
FE1B
FE1D
FE1F
FE1G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
300
400
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
300
400
T
A
= 75°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
T
j
T
S
6.3
±0.1
Grenzwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
at/bei I
F
= 1 A
< 0.95
< 0.95
< 0.95
< 0.95
< 1.25
1 A
1
)
10 A
1
)
30/33 A
4.5 A
2
s
-50...+175°C
-50...+175°C
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
FE1A ... FE1G
Characteristics
Leakage current – Sperrstrom
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
T
j
= 25°C
V
R
= V
RRM
I
R
t
rr
R
thA
R
thL
I
F
= 0.5 A through/über
I
R
= 1 A to I
R
= 0.25 A
Kennwerte
< 2 µA
< 50 ns
< 45 K/W
1
)
< 15 K/W
120
[%]
100
10
2
[A]
10
FE1A...
FE1F
FE1G
80
T
j
= 125°C
60
1
40
10
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
-1
T
j
= 25°C
I
F
10
-2
30a-(1a-0.95/1.25v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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