Technische Information /
technical information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D711N
Key Parameters
enndaten
V
BO
/ V
RRM
I
FAVM
I
FSM
V
T0
r
T
R
thJC
Clamping Force
Max. Diameter
Contact Diameter
Height
5800 V / 6800 V
770 A (T
C
=100 °C)
12500 A
3570A (T
C
=55°C)
0,84 V
0,87 mΩ
28 K/kW
10 … 16 kN
58,5 mm
34 mm
26,4 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität
Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hermetisch dichtes Keramikgehäuse
Hoher Gehäusebruchstrom
Features
Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
High DC blocking stability
High surge current capability
Hermeticaly sealed ceramic package
High case non-rupture current
Typische Anwendungen
Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Mittelspannungsumrichter
Pulsed Power - Applikationen
Kurzschliesser Applikationen
Typical Applications
Rectifier for Drives Applications
Medium voltage converters
Rectifier for Drives Applications
Pulsed power applications
content of customer DMX code
serial number
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
QR class (optional)
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
1
2
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
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Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 8.1
Technische Information /
technical information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Spitzensperrverlustleistung
Surge reverse power dissipation
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
I
FRMSM
I
FAVM
5800
6500
6000 V
6800 V
1200 A
770 A
880 A
1070 A
12500 A
10500 A
780 10³ A²s
550 10³ A²s
80 10³ W
90 10³ W
D711N
Elektrische
T
Eigenschaften
= 100 °C
C
T
C
= 100 °C
T
C
= 85 °C
T
C
= 55 °C
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 20 µs
I
FSM
I²t
P
RSM
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
O-state characteristic
200A
i
F
1600A
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1200 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
F
V
(TO)
r
T
typ.
typ.
max.
typ.
max.
typ.
max.
A 0,7
B 0,000438
C -0,038
D 0,0234
1,77 V
1,9 V
0,79 V
0,84 V
0,81 mΩ
0,87 mΩ
v
F
½
A
B
i
F
C
Ln ( i
F
1)
D
i
F
max.
A 0,749
B 0,000469
C -0,04065
D 0,025
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
50 mA
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TM
JP
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8.1
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Technische Information /
technical information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
D711N
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
V
R
= 1000V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 1000V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
Q
r
max.
5,5
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
max.
200
A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
V
R
= 100V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
V
R
= 100V, T
vj
= T
vj max
C = 0,22µF, R = 83Ω
I
FM
= 1000A, -di
T
/dt = 10 A/µs
Q
r
typ.
4,5
mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
typ.
170
A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
max.
max.
max.
max.
R
thCH
max.
max.
T
vj max
T
c op
T
stg
6,0 K/kW
12,0 K/kW
160 °C
-40...+160 °C
-40...+160 °C
31,5
28,0
54,0
58,0
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
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F
G
typ.
10...16 kN
250 g
30 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
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Technische Information /
technical information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D711N
Maßbild
1
2
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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Revision: 8.1
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Technische Information /
technical information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D711N
thJC
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
Pos. n
R
thn
[K/kW]
1
13,16
0,636
41,43
3,23
35,14
4,18
2
7,06
0,0967
1,42
0,256
3,8
0,378
3
5,52
0,016
9
0,079
8,23
0,086
4
2,25
0,00428
5,58
0,0092
5,47
0,0117
5
0,01
0,0003
0,58
0,00239
1,36
0,00354
6
7
τ
n
[s]
R
thn
[K/kW]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[K/kW]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
½
n
max
n=1
R
thn
1
e
n
-t
70
60
ci
ai
50
40
30
bi
20
10
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t
Transienter innerer Wärmewiderstand für
[s]
/ Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t)
DC
for DC
a
: Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b
: Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c
: Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Z
th JC
[K/kW]
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
