OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE ATB A2A
Abkündigung nach OS-PD-2008-016
Obsolete acc. to OS-PD-2008-016
Besondere Merkmale
•
Gehäusetyp:
Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie;
planvergossen
•
Besonderheit des Bauteils:
extrem hohe
Helligkeit dank Oberflächenemission und
niedrigem R
th
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
•
Wellenlänge:
617 nm (amber),
525 nm (true green), 464 nm (blau)
•
Abstrahlwinkel:
Lambertscher Strahler (120°)
•
Abstrahlende Fläche:
typ. 2.1 x 2.1 mm²
•
Technologie:
Thinfilm InGaAlP (amber),
ThinGaN
®
(true green, blau)
•
Leuchtdichte:
18*10
6
cd/m² (amber),
14*10
6
cd/m² (true green), 3,5*10
6
cd/m² (blau)
•
max. optischer Wirkungsgrad:
51 lm/W (amber), 86 lm/W (true green),
17 lm/W (blau) bei 100 mA mit Linse
•
Montierbarkeit:
verschraubbar
•
Stecker:
10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
•
ESD-Festigkeit:
ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-B
•
Verpackungseinheit:
25 St. pro Box
= Verpackungseinheit
Anwendungen
• Projektoren
• Medizintechnik: Operationslampen
• Mikroskopbeleuchtung
• Scheinwerfer
• Verkehrszeichen
• Hochwertige Blitzlichter
Features
•
package:
compact lightsource in multi chip on
board technology planar sealed
•
feature of the device:
outstanding luminance
due to pure surface emission and low R
th
prepared for additional optics
•
wavelength:
617 nm (amber),
525 nm (true green), 464 nm (blue)
•
viewing angle:
Lambertian Emitter (120°)
•
light emitting surface:
typ. 2.1 x 2.1 mm²
•
technology:
Thinfilm InGaAlP (amber),
ThinGaN
®
(true green, blue)
•
Luminance:
18*10
6
cd/m² (amber),
14*10
6
cd/m² (true green), 3.5*10
6
cd/m² (blue)
•
max. optical efficiency:
51 lm/W (amber),
86 lm/W (true green), 17 lm/W (blue) at 100
mA with lens
•
mounting methode:
screw holes
•
connector:
10 Pin JST BM 10B-SRSS-TB
•
ESD-withstand voltage:
up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-B
•
method of packing:
25 pcs. per tray
= packing unit
Applications
• projectors
• medical lighting: surgery light
• microscope illumination
• spotlights
• VMS (variable message signs)
• high end strobe light
2008-12-15
1
LE ATB A2A
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Emissionsfarbe
Color of Emission
Type
Luminous Intensity per Color
1)
page 17
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
Ι
V
(cd)
amber
min.
LE ATB A2A
amber
true green (2 Chips)
blue
Emissionsfarbe
Color of Emission
12
typ.
18
23
28
2
Lichtfluss pro Farbe
2)3)
Seite 17
Luminous Flux per Color
2)3)
page 17
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
Φ
V
(lm)
amber
min.
LE ATB A2A
amber
true green (2 Chips)
blue
(37)
typ.
(55)
(71)
(86)
(6)
(10.5)
true green
min.
typ.
blue
min.
typ.
3.5
true green
min.
typ.
blue
min.
typ.
Lichstärke pro Farbe
1)
Seite 17
Typ
Type
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type
!
LE ATB A2A
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A3646
!Abgekündigt
nach OS-PD-2008-016 - wird durch LE ATB S2W ersetzt werden.
Obsolete acc. to OS-PD-2008-016 - will be replaced by LE ATB S2W.
Letzte Bestellung / Last Order: 2009-06-30
Letzte Lieferung / Last Delivery: 2009-12-31
2008-12-15
2
LE ATB A2A
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
amber
Werte
Values
true
green
blue
Einheit
Unit
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(
T
board
=25°C)
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t
≤
10
μ
s, D = 0.1;
T
A
=25°C
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(
T
board
=25°C)
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 0.5 V
Leistungsaufnahme pro Farbe
Power consumption per Color
(
T
board
=25°C)
*
Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
T
board, op
T
board, stg
T
j
I
F
750
– 40 … + 85
– 40 … + 85
125
700
°C
°C
°C
mA
I
FM
2000
2000
2000
mA
V
R
0.5
V
I
R
10
mA
P
tot
2.55
6.0
3.0
W
Kennwerte
Charakteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
amber
Werte
Values
true
green
blue
Einheit
Unit
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Junction / base plate
2008-12-15
3
R
th JB
5
K/W
LE ATB A2A
Kennwerte
Characteristics
(
T
board
= 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
amber
Werte
Values
true
green
blau
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
Dominantwellenlänge
4)
Seite 17
Dominant wavelength
4)
page 17
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Φ
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
Φ
rel max
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
Abstrahlwinkel bei 50 %
Ι
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
Ι
V
Durchlassspannung
5)
Seite 17
Forward voltage
5)
page 17
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
(typ.)
λ
peak
λ
dom
λ
dom
λ
dom
Δλ
2
ϕ
627
521
460
nm
(min.)
(typ.)
(max.)
(typ.)
613
617
625
20
517
525
534
44
458
464
469
24
nm
nm
nm
nm
(typ.)
(min.)
(typ.)
(max.)
120
2.1
2.9
3.4
0.14
120
2.9
3.5
4.0
0.05
120
2.9
3.5
4.0
0.05
Grad
deg.
V
V
V
nm/K
V
F
V
F
V
F
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
pro Chip
(typ.)
TC
λpeak
Temperature coefficient of
λ
peak
per chip
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C
≤
T
≤
100°C
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
pro Chip
(typ.)
TC
λdom
Temperature coefficient of
λ
dom
per chip
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C
≤
T
≤
100°C
Temperaturkoeffizient von
V
F
pro Chip
(typ.)
TC
V
Temperature coefficient of
V
F
per chip
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B); –10°C
≤
T
≤
100°C
Optischer Wirkungsgrad ohne Linse
Optical efficiency without Lens
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
(typ.)
0.08
0.01
0.02
nm/K
– 2.5
– 4.0
– 4.0
mV/K
η
opt
η
opt max.
A
Color
25
25
6
lm/W
max. Optischer Wirkungsgrad mit Linse
6)
Seite 17
max. Optical efficiency with Lens
6)
page 17
(typ.)
I
F
= 100 mA (R, T, B)
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
Leuchtdichte
Luminance
I
F
= 750 mA (A) / 500 mA (T, B)
(typ.)
51
1.0
86
2.0
17
1.0
lm/W
mm²
(typ.)
L
V
18*10
6
14*10
6
3.5*10
6
cd/m²
2008-12-15
4
LE ATB A2A
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R
25
No. of R/T
characteristics*
EPCOS 8502
B
25/50
[K]
3940
B
25/85
[K]
3980
Resistance
Tolerance
Δ
R
N
/R
N
± 5%
B value
Tolerance
Δ
B/B
± 3%
[Ω]
10k
* for further information please visit
www.epcos.com
R
T
=
R
N
⋅
e
1 1
B
⋅ ⎛
-- – ------
⎞
-
⎝
T T
N
⎠
R
T
= NTC resistance in
Ω
at temperature T in K
R
N
= NTC resistance in
Ω
at rated temperature T
N
in K (T
N
= 298 K for test condition)
T, T
N
= temperature in K
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
B = B value, material specific constant of the NTC
thermistor
B
=
B
N
⁄
T
T
⋅
T
N
R
N
----------------
⋅
ln
------
=
-
T
–
T
N
R
T
Typische Thermistor Kennlinie
2) 7)
Seite 17
Typical Thermistor Graph
2) 7)
page 17
I
F
=
f
(
V
F
);
T
board
= 25 °C
10000
Ω
OHL02609
R
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0 10 20 30 40 50 60 70
˚C 90
T
NTC
2008-12-15
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
