DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4516DA72
16 M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
REGISTERED TYPE
Description
The MC-4516DA72 is a 16,777,216 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 18 pieces of 64M
SDRAM :
µ
PD4564441 (Rev. E) are assembled.
This module provides high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
•
16,777,216 words by 72 bits organization (ECC type)
•
Clock frequency and Clock access time
Family
/CAS Latency
Clock frequency
(MAX.)
MC-4516DA72-A80
CL = 3
CL = 2
MC-4516DA72-A10
CL = 3
CL = 2
MC-4516DA72-A10B
CL = 3
CL = 2
100 MHz
100 MHz
100 MHz
77 MHz
100 MHz
67 MHz
Burst cycle time
(MIN.)
10 ns
10 ns
10 ns
13 ns
10 ns
15 ns
•
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
•
Pulsed interface
•
Possible to assert random column address in every cycle
•
Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
•
Programmable burst-length (1, 2, 4, 8 and Full Page)
•
Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
•
Programmable /CAS latency (2, 3)
•
Automatic precharge and controlled precharge
•
CBR (Auto) refresh and self refresh
•
Single +3.3 V +0.3 / –0.15 V power supply
•
LVTTL compatible
•
4,096 refresh cycles/64 ms
•
Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
•
200-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
•
Registered type
•
Serial PD
The information in this document is subject to change without notice.
Document No. M12353EJ7V0DS00 (7th edition)
Date Published July 1998 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
•
shows major revised points.
©
1997
MC-4516DA72
Ordering Information
Part number
Clock frequency
MHz (MAX.)
MC-4516DA72F-A80
MC-4516DA72F-A10
MC-4516DA72F-A10B
100 MHz
200-pin Dual In-line Memory Module
(Socket Type)
Edge connector : Gold plated
18 pieces of 64M SDRAM :
µ
PD4564441G5
(Rev. E)
(400 mil TSOP (II))
[Double side]
Package
Mounted devices
2
MC-4516DA72
Pin Configuration
200-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector : Gold plated)
[MC-4516DA72F]
/xxx indicates active low signal.
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
185
186
187
188
189
190
191
192
193
194
195
196
197
198
199
200
NC
NC
V
SS
NC
NC
NC
NC
DQ 71
DQ 70
V
SS
Q
DQ 69
DQ 68
V
CC
Q
NC
V
SS
NC
DQ 59
DQ 58
V
SS
Q
DQ 57
DQ 56
V
CC
Q
DQ 55
DQ 54
V
SS
Q
DQ 53
DQ 52
V
CC
Q
DQ 47
DQ 46
V
SS
Q
DQ 45
DQ 44
V
CC
Q
DQ 39
DQ 38
V
SS
DQ 37
DQ 36
V
CC
A6
A7
V
SS
BA0(A13)
NC
V
CC
DQM
/WE
V
SS
NC
CLK0
V
CC
NC
/CS0
V
SS
BA1(A12)
A10
V
CC
A2
A3
V
SS
Q
DQ 31
DQ 30
V
CC
Q
DQ 29
DQ 28
V
SS
Q
DQ 23
DQ 22
V
CC
Q
DQ 21
DQ 20
V
SS
Q
NC
NC
V
CC
Q
NC
V
SS
V
SS
Q
NC
NC
V
CC
Q
DQ 11
DQ 10
V
SS
Q
DQ 9
DQ 8
V
CC
Q
DQ 3
DQ 2
V
SS
DQ 1
DQ 0
SDA
SA0
SA1
SA2
V
CC
NC
NC
V
CC
NC
NC
IN
OUT
NC
NC
V
SS
DQ 67
DQ 66
V
CC
Q
DQ 65
DQ 64
V
SS
Q
DQ 63
DQ 62
NC
DQ 61
DQ 60
V
CC
Q
NC
NC
V
SS
Q
NC
NC
V
CC
Q
DQ 51
DQ 50
V
SS
Q
DQ 49
DQ 48
V
CC
Q
DQ 43
DQ 42
V
SS
Q
DQ 41
DQ 40
V
CC
Q
A4
A5
V
SS
Q
A8
A9
V
CC
NC
CKE0
V
SS
/CAS
NC
V
CC
V
SS
/RAS
V
SS
NC
A11
V
CC
A0
A1
V
SS
DQ 35
DQ 34
V
CC
Q
DQ 33
DQ 32
V
SS
Q
DQ 27
DQ 26
V
CC
Q
DQ 25
DQ 24
V
SS
Q
DQ 19
DQ 18
V
CC
Q
DQ 17
DQ 16
V
SS
Q
NC
NC
V
CC
Q
DQ 15
DQ 14
V
SS
Q
DQ 13
DQ 12
V
CC
Q
DQ 7
DQ 6
V
SS
Q
DQ 5
DQ 4
V
CC
Q
NC
NC
NC
NC
NC
SCL
NC
V
SS
Q
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
A0 - A11
BA0(A13),
BA1(A12)
CLK0
CKE0
/CS0
/RAS
/CAS
/WE
DQM
IN, OUT
: Address Inputs
[Row : A0 - A11, Column : A0 - A9]
: SDRAM Bank Select
: Clock Input
: Clock Enable Input
: Chip Select Input
: Row Address Strobe
: Column Address Strobe
: Write Enable
: DQ Mask Enable
: Unbuffered Physical Detect
Input/Output (separate)
SA0 - SA2 : Address Input for EEPROM
SDA
SCL
V
CC
V
CC
Q
V
SS
V
SS
Q
NC
: Serial Data I/O for PD
: Clock Input for PD
: Power Supply
: Power Supply for Data Input/Output
: Ground
: Ground for Data Input/Output
: No Connection
DQ0 - DQ71 : Data Inputs/Outputs
3
MC-4516DA72
Block Diagram
FEEDBACK
/CAS
/WE
DQM
A0 - A11, BA0, BA1
REGISTER
/CS0
CKE0
/RAS
10 CLK
PLL CLOCK
BUFFER
CLK0
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D1
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D2
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D3
DQ 11
DQ 10
DQ 9
DQ 8
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D4
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D5
DQ 23
DQ 22
DQ 21
DQ 20
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D6
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D7
DQ 31
DQ 30
DQ 29
DQ 28
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D8
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D9
DQ 39
DQ 38
DQ 37
DQ 36
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D10
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D11
DQ 47
DQ 46
DQ 45
DQ 44
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D12
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D13
DQ 55
DQ 54
DQ 53
DQ 52
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D14
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D15
DQ 59
DQ 58
DQ 57
DQ 56
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D16
DQ 68
DQ 69
DQ 70
DQ 71
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D17
DQ 67
DQ 66
DQ 65
DQ 64
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D18
SERIAL PD
V
CC
SCL
A0
A1
A2
SDA
D1 - D18, REGISTER, PLL CLOCK BUFFER
C
D1 - D18, REGISTER, PLL CLOCK BUFFER
V
SS
SA0 SA1 SA2
Remarks 1.
A 10Ω
±
5 % resistor shall be wired in series with DQ0 - DQ71 near the card edge connector.
All clock line outputs from the PLL CLOCK BUFFER shall be equal length.
2.
D1 - D18 :
µ
PD4564441 (Rev. E) (4M words
×
4 bits
×
4 banks)
4
MC-4516DA72
Electrical Specifications
•
All voltages are referenced to V
SS
(GND).
•
After power up, wait more than 100
µ
s and then, execute power on sequence and auto refresh before proper device
operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on power supply pin relative to GND
Voltage on input pin relative to GND
Short circuit output current
Power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Symbol
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
stg
Condition
Rating
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
50
20
0 to +70
–55 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply voltage
High level input voltage
Low level input voltage
Operating ambient temperature
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
Condition
MIN.
3.15
2.0
–0.3
0
TYP.
3.3
MAX.
3.6
V
CC
+ 0.3
+ 0.8
70
Unit
V
V
V
°C
Capacitance (T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Input capacitance
Symbol
C
I1
C
I2
Data input/output capacitance
C
I/O
Test condition
A0 - A11, BA0, BA1, CKE0, /CS0, /RAS,
/CAS, /WE, DQM
CLK0
DQ0 - DQ71
MIN.
TYP.
MAX.
15
8
10
pF
Unit
pF
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
