S
Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
D650S
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
I
FRMSM
T
C
= 100°C
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
I
FAVM
I
FAVM
I
FRMS
T
vj
=
+
25°C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
=
+
25°C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
I²t
1200 V
1400 V
1400 A
620 A
960 A
1510 A
12200 A
10100 A
744,2 A²s
510,05 A²s
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Kenndaten
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Spitzenwert der Durchlaßverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Durchlaßverzögerungszeit
forward recovery time
Sperrstrom
reverse current
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Sperrverzögerungszeit
reverse recovery time
Elektrische Eigenschaften
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2700 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
IEC 747-2
T
vj
= T
vj max
, i
FM
= 2700 A,
di
F
/dt = 50 A/µs
IEC 747-2, Methode / Method II
i
FM
= di
F
/dt · t
fr
= 2700 A
T
vj
= T
vj max
, di
F
/dt = 50 A/µs
T
vj
= +25°C
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
IEC 747-2, T
vj
= T
vj max
i
FM
= 900A, -di
F
/dt = 50 A/µs
v
R
≈
0,5V
RRM
, v
RM
= 0,8V
RRM
IEC 747-2, T
vj
= T
vj max
i
FM
= 900 A, -di
F
/dt = 50 A/µs
v
R
≈
0,5V
RRM
, v
RM
= 0,8V
RRM
IEC 747-2, T
vj
= T
vj max
i
FM
= 900 A, -di
F
/dt = 50 A/µs
v
R
≈
0,5V
RRM
, v
RM
= 0,8V
RRM
v
F
V
(TO)
r
T
V
FRM
max.
2,25 V
1,0 V
0,45 mΩ
2,9 V
t
fr
5 µs
i
R
I
RM
max.
20 mA
200 mA
122 A
Q
r
370 µAs
t
rr
5,3 µs
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approved by: M.Leifeld
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revision:
2009-03-16
1.0
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S
Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
D650S
Kühlfläche /cooling surface
beidseitig / two sided,
Θ
= 180° sin
beidseitig / two sided, DC
Anode / anode,
Θ
= 180° sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
= 180° sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
R
thCH
max.
max.
T
vj max
T
c op
T
stg
0,048
0,045
0,085
0,082
0,103
0,100
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Thermische Eigenschaften
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
0,005 °C/W
0,010 °C/W
150 °C
-40...+150
-40...+150
Mechanische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
F
G
typ.
Seite 3
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6…14,5
270
kN
g
25 mm
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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S
Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
D650S
Maßbild
1:
Anode/Anode
1
2
2:
Kathode/Cathode
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S
Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
D650S
R,T – Werte
R,Tau-Glieder des Elements
Kühlung /
Pos. n
1
Cooling
beidseitig
two-sided
R
thn
[°C/W]
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
2
0,00420
0,00189
0,00407
0,00182
0,00423
0,00190
3
0,00596
0,01850
0,00519
0,01560
0,00616
0,01920
4
0,0183
0,1470
0,0167
0,1210
0,0186
0,1520
5
0,01546
1,22000
0,00698
0,57100
0,01340
2,54000
n
max
n=1
6
-
-
0,048
7,210
0,05652
9,90000
7
-
-
-
-
-
-
0,001080
0,000378
0,001060
0,000377
0,001090
0,000379
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Transienter Wärmewiderstand
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001
b
c
a
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
-t
Z
thJC
[°C/W]
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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S
Schnelle Diode
Fast Diode
Datenblatt / Data sheet
D650S
4.000
3.500
3.000
2.500
i
F
[A]
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
Sperrverzögerungsladung
1
1,5
v
F
[V]
2
2,5
3
Rückstromspitze
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
F
= f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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