thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module
d
Paste
≤
50µm / d
grease
≤
50µm
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
internal insulation
creepage distance
clearance
comperative tracking index
mounting torque
weight
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
mm
mm
Nm
g
max.
G
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
BSM 75 GD 170 DL
150
I
C
125
[A]
100
75
50
25
0
0,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
150
I
C
125
[A]
100
75
50
25
0
0,0
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
BSM 75 GD 170 DL / 1
4,0
4,5
V
CE
[V]
5,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
BSM 75 GD 170 DL / 2
4,0
4,5
V
CE
[V]
5,0
Bild / Fig. 1
Ausgangskennlinie (typisch) /
Output characteristic (typical)
I
C
= f(V
CE
)
V
GE
= 15V
Bild / Fig. 2
Ausgangskennlinienfeld (typisch) /
Output characteristic (typical)
I
C
= f(V
CE
)
T
vj
= 125°C
150
I
C
125
[A]
100
75
50
25
0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
150
I
F
125
[A]
100
75
50
25
0
0,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
5
6
7
8
9
10
11
BSM 75 GD 170 DL / 3
12
V
GE
[V]
13
0,5
1,0
1,5
2,0
BSM 75 GD 170 DL / 4
2,5
V
F
[V]
3,0
Bild / Fig. 3
Übertragungscharakteristic (typisch) /
Transfer characteristic (typical)
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
140
120
E 100
[mJ]
80
60
40
20
0
90
80
Eoff
Eon
Erec
E 70
[mJ]
60
50
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
I
C
[A]
150
0
Bild / Fig. 4
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) /
Forward characteristic of inverse diode (typical)
I
F
= f(V
F
)
Eoff
Eon
Erec
0
10
20
30
40
50
60
70
80
BSM 75 GD 170 DL / 5
BSM 75 GD 170 DL / 6
90
R
G
[Ω]
100 110
Bild / Fig. 5
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
E
on
= f(I
C
), E
off
= f(I
C
), E
rec
= f(I
C
)
R
gon
= R
goff
=
20Ω, V
CE
= 900V, T
j
= 125°C
Bild / Fig. 6
Schaltverluste (typisch) /
Switching losses (typical)
E
on
= f(R
G
), E
off
= f(R
G
), E
rec
= f(R
G
)
I
C
= 75A, V
CE
= 900V, T
j
= 125°C
BSM 75 GD 170 DL
150
125
100
75
50
25
0
IC,Modul
IC,Chip
I
C
[A]
0
200
400
600
800
1000
1200
BSM 75 GD 170 DL / 7
1400 1600 1800
V
CE
[V]
Bild / Fig. 7
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) /
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
g
= 20Ω, T
vj
= 125°C
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig
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Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
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Please note, that for any such applications we urgently recommend
- to perform joint Risk and Quality Assessments;
- the conclusion of Quality Agreements;
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on
the realization of any such measures.
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.