Ti
wn
S h t yB r e Do e
c ot ar r id
k
i
■外観図
O T IE
U LN
nt
：mm
Ui
S 2S 3M
G 0C L
3 V2 A
0 0
煙½
V
F
煙½ノイズ
煙高速スイッチング
P c a e T -2 G 3 i
a k g
：F
O 2 0
（
pn
）
ロ ト記号
ッ
（例）
Date code
管理番号
（例）
Control No.
10.０
4.5
特 長
0000
３.45
極性
Polarity
G20SC3LM
煙
L wV
o
F
煙
L wN i
o oe
s
i
hR c v r S e d
煙
Hg e o ey p e
2.54
2.54
①②③
13.5
F aue
e tr
15.０
品名略号
Type No.
①
②
③
外½図については新電元 We
bサイトをご参照下さい。捺印表示については
捺印仕様をご確認下さい。
F rd ti fteo t edme s n ,rfrt u e s e sfrte
o easo h ul
l
i i n i s ee oo rw b i .A o h
n
o
t
mak g rfrotes e i ai Mak g Tr n l o n ci "
ri ,ee t h p c i t n" ri , emi C n e t n.
n
f o
c
n
a
o
■定格表
項
R TN S
A IG
A s l eMa i m R t g
（
指定のない場合は
T ＝2℃/ nes tewi seie ）
bo t
u
x
mu ai s
n
c 5 u l oh r s p c i
s
e
fd
記号
S mb l
y o
Tt
sg
T
j
V
M
R
V
RM
RS
I
o
I
S
FM
I
S
F M1
Vi
ds
T R
O
パルス幅 0 ms uy14
. ，d t /0
5
P l it .ms d t 14
u ewdh05 , uy /0
s
5H
0 z正弦波，抵抗負荷，一素子½りの出力電流平均値 I/, c 14
o2T = 2℃
5 H s ew v , e i a c o d R t gfr a hdo eI/, c 1 4
0 z i a e R s tn ela , ai o e c id o2 T= 2 ˚
n
s
n
C
5H 正弦波，非繰り返し 1
0z
サイクルせん頭値，T ＝2℃
j 5
5 H s ew v , o - p ti
0 z i a e N nr ei e1c c e kv l , j2 ˚
n
e t
v
y l a a e T= 5C
ep
u
t= ms
p 1 正弦波，非繰り返し 1
サイクルせん頭値，T ＝2℃
j 5
t= ms i a e N nrp ti
p 1 Sn
ew v , o - ei e1c c e kv l ,T= 5C
e t
v
y l a a e j2 ˚
ep
u
一括端子・ケース裏面間，AC1
分間印加
Tr n lt a eb c s e A
emi s oc s a ki , C1mi t
a
d
n e
u
（推奨値：0 N m）
.・
3
(e o
R c mme d dtru : .N m)
n e oq e 03
・
●絶対最大定格
目
Im
t
e
条 件
C ni n
o dt s
i
o
規格値
R tg
ai s
n
－5½10
5 5
10
5
3
0
3
5
2
0
20
5
50
8
1
.
5
0
.
5
単½
Ui
n
t
℃
℃
V
V
A
A
k
V
Nm
・
保存温度
Soa eTmp rtr
trg e eaue
接合部温度
O eai u ci e eaue
p rt gJ n t nTmp rtr
n
o
せん頭逆電圧
Ma i m R v reV l g
x
mu e es o a e
t
繰り返しせん頭サージ逆電圧
R p ti e kS reR v reV l g
e ei eP a ug e es ot e
t
v
a
出力電流
A ea eR ci dF r adC r n
v rg e ti ow r ur t
f
e
e
せん頭サージ順電流
P a ug ow r urn
e kS reF r adC r t
e
絶縁耐圧
De cr t n t
ie tcSr gh
l i e
締め付けトルク
Mo ni oq e
u t gT ru
n
●電気的・熱的特性
順電圧
F r adV l g
ow r o a e
t
逆電流
R v reC r n
e es ur t
e
接合容量
J n t nC p c a c
u ci a a i n e
o
t
熱抵抗
T ema R s tn e
h r l eia c
s
Ee tc l h rcei i
（
指定のない場合は
T ＝2℃/ nes tewi seie ）
l r a C aa tr t s
ci
sc
c 5 u l oh r s p c i
s
e
fd
V
F
I
R
C
j
θj
c
I＝8
A,
F
V ＝3V
0,
R
f MH ,
R
＝1V
＝1 zV
0
接合部・ケース間
J n t nt a e
u ci oc s
o
パルス測定，一素子½りの規格値
Pl
u eme s rme tP r i e
s
a ue n, e do
d
パルス測定，一素子½りの規格値
Pl
u eme s rme tP r i e
s
a ue n, e do
d
一素子½りの規格値
Pri e
e do
d
T P
02
Y
.
4
MA
0 5
X
.
4
V
m
A
p
F
℃/
W
MAX
T P
Y
MAX
9
50
7
2
5 3p 0 2 0
〉
（
J 3 - 2 1 . 6
）
〈
www sid n e . . /rd c/ mi
. n e g nc j po u t e /
h
op
s
S 2S 3 M
G 0C L
■特性図
順方向特性
５
０
C A A T RS I DA R MS
H R C E ITC IG A
逆方向特性
順電力損失曲線
Forward Voltage
Reverse Current
１０
００
Tc＝150℃
（TYP）
Tc＝125℃
（TYP）
Tc＝100℃
（TYP）
１
０
１
０.１
Tc＝75℃
（TYP）
Tc＝50℃
（TYP）
Tc＝ ５℃
２ （TYP）
Forward Power Dissipation
１
５
Forward Power Dissipation P
F
〔W〕
Forward Current I
F
〔A〕
Reverse Current I〔mA〕
R
１０
０
D＝ ．
０
８
０
．
５
SIN
０
．
３
０
．
２
DC
１
０
１
０
０５
．
０
０
．
１
Tc＝ ５ （MAX）
１ ０℃
Tc＝ ５ （TYP）
１ ０℃
Tc＝ ２ （MAX）
５℃
Tc＝ ２ （TYP）
５℃
１
Pulse measurement per diode
０.５
０
０．
２
５
Tj＝ ５ ℃
１０
０
０
０
I
O
tp
T
３
０
D＝tp/T
３
５
４
０
０.0１
Pulse measurement per diode
１．
６
０.０ １
０
０
５
Forward Voltage V
F
〔V〕
０．
４
０．
６
０．
８
０
１.２
１．
４
Reverse Voltage V
R
〔V〕
０
０
tp
１
０
１
５
２
０
２
５
３
０
３
５
４
０
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
５
１
０
１
５
２
０
２
５
逆電力損失曲線
ディ
レーティ
ングカーブ
Tc-Io
Reverse Power Dissipation
４
０
Derating Curve Tc-Io
Average Rectified Forward Current I
O
〔A〕
４
０
３
５
DC
０
．
１
０
．
２
０
．
３
I
O
V
R
V
R
＝15V
D＝tp/T
せん頭サージ順電流耐量
Peak Surge Forward Current Capability
Peak Surge Forward Current I
FSM
〔A〕
３０
０
２０
５
２０
０
１０
５
１０
０
５
０
０
１
Sine wave
I
FSM
１
０ms １
０ms
１cycle
Non-repetitive
Tj＝ ５℃
２
１
０
Reverse Power Dissipation P
R
〔W〕
Tj＝ ５ ℃
１０
０
３
５
３
０
２
５
２
０
１
５
１
０
５
０
０
５
１
０
tp
T
V
R
D＝tp/T
D＝ ．
０５
０
DC
T
３
D＝ ．
０
０
８
２
５
０
．
５
SIN
２
０
０
．
３
２
１
０
５
．
１
０
５
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０ １０ １０ １０
０
２
４
６
０
．
１
０
５
．
０
０
．
５
SIN
０
．
８
Reverse Voltage V
R
〔V〕
１
５
２
０
２
５
３
０
３
５
Case Temperature Tc ℃〕
〔
Number of Cycles 〔cycle〕
１０
０
せん頭サージ順電流耐量
せん頭サージ順電流減少率─接合部温度
Peak Surge Forward Current Derating
〔%〕
接合容量
Peak Surge Forward Current Capability
Peak Surge Forward Current I
FSM1
〔A〕
８０
０
７０
０
I
(tp)FSM
Sine wave
Peak Surge Forward Current Derating vs Junction Temperature
１０
０
Junction Capacitance
５０
００
６０
０
５０
０
４０
０
３０
０
２０
０
１０
０
０
１
２
５
tp
Non-repetitive
Tj＝ ５℃
２
５℃
８
０
６
０
４
０
２
０
Junction Capacitance Cj pF〕
〔
per diode
f＝
１MHz
Tc＝ ５℃
２
TYP
１０
００
１０
０
５
０
０
１
.
Pulse Width tp〔ms〕
１
０
０
０
Junction Temperature Tj〔℃〕
２
５
５
０
７
５
１０
０
１５
２
１０
５
Reverse Voltage V
R
〔V〕
１
１
０
６
０
過渡熱抵抗
Transient Thermal Impedance
Transient Thermal Impedance θjc〔℃/W〕
１０
０
１
０
１
０.１
０.0１
０.０ １
０
１
−4
０
１
−3
０
１
−2
０
Time t
〔s〕
１
−1
０
１
0
０
１
1
０
１
2
０
＊ Sn wa e 5H で測定しています。
ie v は 0 z
＊
5 H s ew v s s dfr a ue ns
0 z i a eiu e o me s rme t.
n
www sid n e . . /rd c/ mi
. n e g nc j po u t e /
h
op
s
5 3p 0 2 0
〉
（
J 3 - 2 1 . 6
）
〈
ご 注 意
1. ご採用に際しては、別途仕様書をご請求の上、ご確認をお願いいたします。
2. 本資料に記載されている½社½品の品質水準は、一般的な信頼度が要求される標準用途を意図しています。
その½品の故障や誤動½が直接生½や人½に½響を及ぼすような極めて高い品質、信頼度を要求される特
別、特定用途の機器、装½にご½用の場合には必ず事前に½社へご連絡の上、確認を得て下さい。 ½社の
½品の品質水準は以下のように分類しております。
【標準用途】
コンピュータ、OA 等の事務機器、通信用端末機器、計測器、AV 機器、アミューズメント機器、家電、
工½機器、パー½ナル機器、産業用機器等
【特別用途】
輸送機器（車載、船舶等）、基幹用通信機器、交通信号機器、防½/防犯機器、各種安全機器、医療
機器等
【特定用途】
原子力制御システム、航空機器、航空宇宙機器、海底中継機器、生½維持のための装½、システム
等
3. ½社は品質と信頼性の向上に絶えず努めていますが、必要に応じ、安全性を考慮した冗長設計、延焼防止
設計、誤動½防止設計等の手段により結果として人身事故、火½事故、社会的な損害等が防止できるようご
検討下さい。
4. 本資料に記載されている内容は、½品改良などのためお断りなしに変更することがありますのでご了承下さ
い。½品のご購入に際しましては事前に½社または特約店へ最新の情報をご確認下さい。
5. 本資料の½用によって起因する損害または特許権その他権利の侵害に関しては、½社は一切その責任を負
いません。
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measurement equipment, audio/visual equipment, amusement equipment, consumer electronics,
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【Special applications】
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control systems, anti-disaster/crime systems, safety equipment, medical equipment, etc.
【Specific applications】
Nuclear reactor control systems, aircraft, aerospace equipment, submarine repeaters, life support
equipment and systems, etc.
3. Although Shindengen continuously endeavors to enhance the quality and reliability of its products, customers
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EEWORLD
