P1200A ... P1200G
P1200A ... P1200G
Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-01
Nominal Current
Nennstrom
Ø8
±0.1
12 A
50...400 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
1.3 g
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
±0.5
62.5
Ø 1.2
±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
P1200A
P1200B
P1200D
P1200G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
50
100
200
400
T
A
= 50°C
f > 15 Hz
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
7,5
Type
±0.1
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
50
100
200
400
12 A
1
)
80 A
1
)
400/450 A
800 A
2
s
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
at reduced reverse voltage
bei reduzierter Sperrspannung
Storage temperature – Lagerungstemperatur
V
R
≤ 80% V
RRM
V
R
≤ 20% V
RRM
T
j
T
j
T
S
-50...+150°C
-50...+200°C
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
P1200A ... P1200G
Characteristics
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
T
j
= 25°C
I
F
= 5 A
I
F
= 12 A
V
R
= V
RRM
V
F
V
F
I
R
R
thA
R
thL
Kennwerte
< 0.84 V
< 0.95 V
< 10 µA
< 10 K/W
1
)
< 2 K/W
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
120
[%]
100
10
3
[A]
10
2
T
j
= 125°C
80
Vr < 20% Vrrm
60
10
T
j
= 25°C
40
Vr < 80% Vrrm
1
I
F
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
400a-(5a-0,8v)
0.4
V
F
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
1
)
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
NXP MCU
京公网安备 11010802033920号
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