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2SJ632

Description
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.56ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN
CategoryDiscrete semiconductor    The transistor   
File Size46KB,4 Pages
ManufacturerSANYO
Websitehttp://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SJ632 Overview

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.56ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PCP, 3 PIN

2SJ632 Parametric

Parameter NameAttribute value
Objectid1977562108
package instructionSMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Contacts3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN codeEAR99
Shell connectionDRAIN
ConfigurationSINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Minimum drain-source breakdown voltage60 V
Maximum drain current (Abs) (ID)2 A
Maximum drain current (ID)2 A
Maximum drain-source on-resistance0.56 Ω
FET technologyMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 codeR-PSSO-F3
Number of components1
Number of terminals3
Operating modeENHANCEMENT MODE
Maximum operating temperature150 °C
Package body materialPLASTIC/EPOXY
Package shapeRECTANGULAR
Package formSMALL OUTLINE
Polarity/channel typeP-CHANNEL
Maximum power dissipation(Abs)3.5 W
Maximum pulsed drain current (IDM)8 A
Certification statusNot Qualified
surface mountYES
Terminal formFLAT
Terminal locationSINGLE
transistor applicationsSWITCHING
Transistor component materialsSILICON
注文コード No. N 7 4 2 0
2SJ632
No.
N7420
32603
2SJ632
特長
・½オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・4V 駆動。
P チャネル MOS ½シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
ドレイン・½ース電圧
ゲート・½ース電圧
ドレイン電流(DC)
ドレイン電流(パルス)
許容損失
チャネル温度
保存周囲温度
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(250mm
2
× 0.8mm)装着時
Tc=25℃
− 60
± 20
−2
−8
1.5
3.5
unit
V
V
A
A
W
W
max
−1
− 1.2
1.6
2.4
275
400
365
39
30
± 10
− 2.6
360
560
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
次ページへ続く。
150
− 55 ∼+ 150
min
ID= − 1mA, VGS=0
VDS= − 60V, VGS=0
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 1A
ID= − 1A, VGS= − 10V
ID= − 1A, VGS= − 4V
VDS= − 20V, f=1MHz
VDS= − 20V, f=1MHz
VDS= − 20V, f=1MHz
− 60
typ
電気的特性
Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・½ース降伏電圧
ドレイン・½ースしゃ断電流
ゲート・½ースもれ電流
ゲート・½ースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
ドレイン・½ース間オン抵抗
入力容量
出力容量
帰還容量
単½品名表示:GA
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
y
fs
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
外½図 2062A
(unit : mm)
4.5
1.6
1.5
本書記載の½品は、極めて高度の信頼性を
要する用途
(生½維持装½、
航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途)
に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
本書記載の規格値(最大定格、動½条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて½用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.5
3
1.5
2
3.0
(Bottom view)
1
1.0
0.4
2.5
4.25max
0.4
0.75
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
SANYO : PCP
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
32603 TS IM ◎½藤 TA-3954 No.7420-1/4

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Datasheet   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Room 1530, 15th Floor, Building B, No. 18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing Telephone: (010) 82350740 Postal Code: 100190
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