GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
LD 242
ø0.45
2.54 mm
spacing
Chip position
ø4.3
ø4.1
1
0.9 .1
1.1 .9
0
2.7
1
14.5
12.5
3.6
3.0
ø5.5
ø5.2
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
q
q
q
q
q
Features
q
GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
q
q
q
q
q
Schmelzepitaxieverfahren
Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
Hohe Zuverlässigkeit
Großer Öffnungskegel
Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
liquid phase epitaxy process
Cathode is electrically connected to the case
High reliability
Wide beam
Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
q
Lichtschranken für Gleich- und
Applications
q
IR remote control and sound transmission
q
Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
LD 242-2
LD 242-3
LD 242 E7800
Bestellnummer
Ordering Code
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
Gehäuse
Package
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(
1
/
10
’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-
ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(
1
/
10
’’)
Semiconductor Group
1
1998-07-15
fet06625
LD 242
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom,
T
C
= 25
°C
Forward current
Stoßstrom,
τ ≤
10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung,
T
C
= 25
°C
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 ... + 80
5
300
3
470
450
160
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
K/W
T
op
;
T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
R
thJC
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektraler Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
±
40
0.25
0.5
×
0.5
0.3 ... 0.7
Grad
deg.
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
Semiconductor Group
2
1998-07-15
LD 242
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom,
V
R
= 5 V
Reverse current
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
1
Einheit
Unit
µs
t
r
,
t
f
C
o
40
pF
V
F
V
F
I
R
Φ
e
1.3
(≤
1.5)
1.9
(≤
2.5)
0.01
(≤
1)
16
V
V
µA
mW
TC
I
– 0.55
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
0.3
mV/K
nm/K
Semiconductor Group
3
1998-07-15
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
1)
Symbol
-2
-3
Werte
Values
7800
1)
Einheit
Unit
I
e
I
e typ.
4 ... 8
50
> 6.3
75
1 ... 3.2
–
mW/sr
mW/sr
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,
daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich
für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
1)
Semiconductor Group
4
1998-07-15
LD 242
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHR01938
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR01037
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Ι
e
10
2
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
300
OHR00971
Ι
e
(100 mA)
Ι
F
mA
250
Ι
rel
80
10
1
60
200
R
thJL
= 160 K/W
150
40
R
thJA
= 450 K/W
10
0
20
100
50
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80
˚C
100
T
A
,
T
L
Forward current
I
F
=
f
(V
E
)
10
1
A
OHR01040
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
Ι
F
10
4
mA
5
OHR01937
Ι
F
t
P
t
P
D
=
T
Ι
F
T
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10
0
typ.
max.
10
3
5
0.2
0.5
10
-1
DC
10
-2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
V
F
20
10
0
1.0
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
τ
10
0
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
OHR01877
ϕ
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
90
0.2
0
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
Semiconductor Group
5
1998-07-15
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
