European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 425 N
screwing depth
max. 18,0
M10
plug A 2,8 x 0,8
4K
5G
7K
6G
31
3
50
44
1
2
25
100
112
6
124
144
25
A
G
K
G
K
K AK
VWK February 1996
TT 425 N, TD 425 N, DT 425 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische Vorwärts- und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-Stoßspitzenspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwärts- und Rückwärts-
Sperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
state voltage reverse voltage
non-repetitive peak voltage
RMS on-state current
average on-state current
surge current
I
2
t-value
critical rate of rise of on-state
critical rate of rise of off-state
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
t
vj
= -40°C... t
vj max
t
vj
= -40°C... t
vj max
t
vj
= +25°C... t
vj max
V
DRM
, V
RRM
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I
2
t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
1000
max.1,5
0,9
0,3
max. 250
max.1,5
max.10
max.5
max.0,2
max. 300
max. 1500
max. 80
V/µs
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
800 1000 1200
1400 1600 1800
800 1000 1200
1400 1600 1800
900 1100 1300
1500 1700 1900
800
425
510
14,5
12,5
1051 . 10
3
781 . 10
3
120
V
1)
V
V
A
A
A
kA
kA
A
2
s
A
2
s
A/µs
t
c
= 85°C
t
c
= 74°C
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, I
GM
= 1 A, di
G
= 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter F
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 1,5 kA
v
T
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
t
vj
= t
vj max
r
T
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
I
GT
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V
V
GT
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
t
vj
= 25 °C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
Ω
I
H
t
vj
= 25 °C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
Ω
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
t
vj
= t
vj max
i
D
, i
R
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs,-di
T
/dt = 10A/µs
5.Kennbuchstabe/5th letter O
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
t
gd
t
q
max. 4
typ.250
µs
µs
V
ISOL
3
3,6
kV
kV
Isolations-Prüfspannung
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
insulation test voltage
Thermal properties
thermal resistance, junction
to case
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin R
thJC
pro Zweig/per arm,
Θ
=180° sin
pro Modul/per module, DC
pro Zweig/per arm, DC
pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
max.0,0390 °C/W
max.0,0780
max.0,0373
max.0,0745
max.0,01
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
thermal resistance, case to
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
max.0,02 °C/W
125
°C
-40...+125
°C
-40...+130
°C
1
AlN
6
12
typ.1500
19
50
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Gehäuse, siehe Seite
case, see page
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Anzugsdrehmoment für
mounting torque
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für
terminal connection torque
elektrische Anschlüsse
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
1)
1800 V auf Anfrage / 1800 V on demand
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
Nm
Nm
g
mm
m/s²
f = 50 Hz
TT 425 N
700
600
P
TAV
[W]
400
300
60
200
100
0
0
TT 425 N/1
180°
120°
0
Θ
60°
θ=30°
[°C]
90°
t
C
140
120
100
80
0
Θ
40
20
100
200
300
400
500
I
TAV
[A]
600
0
TT 425 N/2
θ=30°
100
200
60°
300
90°
120°
400
180°
500
I
TAV
[A]
600
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
1000
DC
800
P
TAV
[W]
600
60°
400
θ=30°
90°
0
180°
120°
140
120
t
C
[°C]
100
80
60
θ
0
θ
200
40
0
0
100
200
300
400
500
600
I
TAV
[A]
700
800
TT 425 N/3
θ=30°
20
0
100
200
60°
300
90° 120°
400
180°
500
600
I
TAVM
[A]
700
DC
800
TT 425 N/4
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
3000
2500
P
tot
[W]
2000
1500
1000
0.015
0.020
0.025
0.030
0.010
R
thCA
[°C/W]
R-Last
R-load
L-Last
L-load
4000
3500
3000
P
tot
[W]
2500
2000
1500
1000
500
0
0
0.015
0.010
R
thCA
[°C/W]
0.020
0.025
0.030
0.040
0.050
0.060
0.080
0.100
0.120
0.150
0.200
0.300
0.040
0.050
0.060
0.080
0.100
0.120
0.150
0.200
0.300
500
0
0
20
40
60
80
100 120 0
400
800
I
d
[A]
1200
20
TT 425 N/6
40
60
80
100 120 0
500
1000
I
d
[A]
1500
TT 425 N/5
t
A
[°C]
t
A
[°C]
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 425 N
1400
1200
P
tot
[W]
800
600
400
200
0
0
20
40
60
80
100 120 0
400
800
I
RMS
[A]
1200
TT 425 N/7
0.040
0.050
0.060
0.030 0.020
4000
R
thCA
[°C/W]
3500
P
tot
[W]
0.010
0.015
R
thCA
[°C/W]
0.020
0.025
0.080
0.100
0.120
0.150
0.200
0.300
0.400
0.600
2500
2000
1500
1000
500
0
0
0.030
0.040
0.050
0.060
0.080
0.100
0.120
0.150
0.200
0.300
20
40
60
80
100 120 0
400
800
I
RMS
[A]
1200
t
A
[°C]
TT 425 N/8
t
A
[°C]
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the
circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
12
10
I
T(OV)M
[kA] 8
a
6
4
2
0
0.01
TT 425 N/9
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
10000
5000
4000
Q
r
[µAs]
2000
1000
700
500
400
300
200
100
20A
iTM= 2000A
1000A
100A
50A
b
0.02
0.04 0.06
0.1
0.2
0.4
t [s]
0.6 0.8 1
1
TT 425 N/10
2
3
4 5 6 7
10
20
30 40 50
-di/dt [A/µs]
70 100
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig I
T(OV)M
. Belastung aus Leerlauf, V
RM
= 0,8 V
RRM
Maximum overload on- state current per arm I
T(OV)M
. Surge current under
no-load conditions, V
R
= 0,8 V
RRM
a - t
A
= 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
b - t
A
= 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
≤
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i
TM
3
2
10
3
5
3
2
t
gd 2
10
10
1
V
G
[V]
6
4
3
2
b
a
c
d
[µs]
5
3
2
1
10
5
3
2
10
0
6
4
3
2
t
vj
=+125°C
b
10
0
5
3
2
-1
a
b
10
-1 1
10
2
3 456
10
2
2
3 456
10
3
2
3 456
10
4
2
3 456
10
5
10
10
-2
2
3
5
10
-1
2
3
5
10
0
2
3
5
10
1
TT 425 N/11
i
G
[mA]
TT 425 N/12
i
G
[A]
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t
g
[ms] 10
1
0,5
0,1
________________________________________________________
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W]
40
80
100 150
________________________________________________________
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
TT 425 N
0.1
0.12
0.1
0
Θ
Z
(th)JC
0.08
[°C/W]
0.06
0.04
θ=
30°
60°
90°
120°
180°
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
0.04
0.02
30°
60°
90°
120°
180°
DC
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t [s]
10
2
0
θ
0.08
Z
(th) JC
[
°
C/W]
0.06
0.02
0
10
-3
TT 425 N/13
0
10
-3
TT 425 N/14
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle
θ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
2
3
0,00194 0,00584 0,01465
0,000732 0,00824
0,108
4
0,0254
0,57
5
0,0267
3
6
7
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
Z
thJC
=
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
